Patent search cpc:"H01L2224/05023" Page 1

1.

发明公开
半导体封装件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN107275230A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710101790.6

申请日：2017-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八甫谷明彦

IPC: H01L21/56 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/29 , H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0381 , H01L2224/03848 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/051 , H01L2224/05562 , H01L2224/0569 , H01L2224/05693 , H01L2224/27436 , H01L2224/27438 , H01L2224/27848 , H01L2224/29193 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33505 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L23/31 , H01L21/56

Abstract: 实施方式的半导体封装件具备基体、半导体芯片、小片接合粘接层和分子接合层。所述小片接合粘接层设在所述基体与所述半导体芯片之间。所述分子接合层设在所述基体及所述半导体芯片中的至少一方与所述小片接合粘接层之间。所述分子接合层的至少一部分与含在所述小片接合粘接层中的树脂化学键合。所述分子接合层的至少一部分与含在所述基体中的第1原料及含在所述半导体芯片中的第2原料中的至少一方化学键合。

2.

发明授权
电子元器件及电子元器件的制造方法有权

公开(公告)号：CN104205301B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201280071499.4

申请日：2012-08-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤隆 , 西泽龙男 , 木下庆人 , 梨子田典弘

IPC: H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L29/78

CPC classification number: H01L24/33 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/27332 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205 , H01L2924/00

Abstract: 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。

3.

发明授权
半导体集成装置失效

公开(公告)号：CN103311238B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310067617.0

申请日：2013-03-04

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 渕上千加志

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/027 , H01L23/3157 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L29/78 , H01L2224/0215 , H01L2224/0219 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05078 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2224/05551 , H01L2224/05556 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05687 , H01L2224/0569 , H01L2224/10122 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/07025 , H01L2924/05442

Abstract: 本发明目的在于提供能够切实防止静电破坏的半导体集成装置。具备：半导体衬底，在其主面形成有包含包围作为局部区域的第1扩散区域的第2扩散区域的静电保护电路；与该主面相对的金属焊盘；以及与金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台，在导电性凸台中的与金属焊盘的相对面上，在与上述第1扩散区域相对的范围内，设置与金属焊盘接触的突起部。

4.

发明公开
具有限制层的互连结构有权

公开(公告)号：CN105514073A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510621969.5

申请日：2015-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗晓筠 , 林咏淇 , 薛仰志 , 吴仓聚 , 邱文智

IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/2885 , H01L21/76847 , H01L21/7685 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L29/43 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03616 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05005 , H01L2224/05018 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/207 , H01L2224/0346 , H01L2224/05599 , H01L2224/05684

Abstract: 本发明公开了一种互连结构和用于提供互连结构的方法，该互连结构包括具有减小的形貌变化的导电部件。互连结构包括设置在衬底上方的接触焊盘。接触焊盘包括第一导电材料的第一层和位于第一层上方的第二导电材料的第二层。第一导电材料和第二导电材料由基本相同的材料制成并且具有第一平均晶粒尺寸和第二平均晶粒尺寸，第二平均晶粒尺寸小于第一平均晶粒尺寸。互连结构还包括覆盖衬底和接触焊盘的钝化层，并且钝化层具有暴露出接触焊盘的开口。本发明还涉及具有限制层的互连结构。

5.

发明公开
可携式装置及其集成电路的封装结构、封装体与封装方法有权

公开(公告)号：CN105280578A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410443444.2

申请日：2014-09-03

Applicant: 力智电子股份有限公司

Inventor： 温兆均 , 李兴武

IPC: H01L23/31 , H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/56 , H01L23/3171 , H01L23/492 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2021/6027 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/06155 , H01L2224/08113 , H01L2224/13023 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16227 , H01L2224/32104 , H01L2224/32221 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种可携式装置及其集成电路的封装结构、封装体与封装方法。封装结构包括集成电路的封装体与载板。封装体包括晶粒与冶金层。晶粒具有接触部、切割边界保留部与密封环。密封环位于接触部与切割边界保留部之间。冶金层设置于接触部上且冶金层至少部分设置于密封环之上。冶金层包括涂布有锡膏的可焊层。载板包括焊垫。焊垫耦接涂布有锡膏的可焊层。

6.

发明公开
厚金属焊盘的处理有权

公开(公告)号：CN105140139A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510411275.9

申请日：2015-05-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·加尼策尔 , R·策尔扎赫尔

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/82 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0312 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05016 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05672 , H01L2224/80203 , H01L2224/80825 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L24/81

Abstract: 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中，形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。

7.

发明公开
半导体器件结构及制造方法有权

公开(公告)号：CN104916617A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410566501.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李立国 , 刘永盛 , 刘宜臻 , 赖怡仁 , 陈俊仁 , 郑锡圭

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。

8.

发明公开
制造芯片封装基板的方法和制造芯片封装的方法有权

公开(公告)号：CN104247006A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020415.9

申请日：2013-04-12

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 金弘壹

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/4846 , H01L23/3121 , H01L23/4985 , H01L24/29 , H01L2224/04042 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05083 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012

Abstract: 提供一种芯片封装基板和制造芯片封装的方法，该芯片封装基板包括：其上形成有过孔的绝缘层；形成在绝缘层的一个表面上的电路图案层；以及形成在电路图案层的一个表面上的镀覆层，其中，镀覆层包括：形成在电路图案层的所述一个表面上的Ni层；形成在Ni层上的合金层；以及形成在合金层上的Au层。根据本发明，在镀覆层中，具有高的材料成本的Au层的厚度减小。由此，有利于Au的使用量减少，从而使得产品的总生产成本降低。

9.

发明授权
发光体以及使用其的光学设备失效

公开(公告)号：CN101752492B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200910265707.4

申请日：2003-12-19

Applicant: 丰田合成株式会社 , 贡杜拉·罗特 , 瓦尔特·特夫斯

Inventor： 贡杜拉·罗特 , 瓦尔特·特夫斯

IPC: H01L33/48 , H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7792 , C09K11/7793 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , Y02B20/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099

Abstract: 本发明涉及以下特征的具有长荧光寿命的发光体。即作为为了使发光体的温度稳定性得到提高的另外的发光中心，除了激活剂之外，还包括从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi、Sn、Sb以及类似的物质中选择的一种以上的共激活剂。、本发明由于在温度稳定性和荧光寿命方面具有优越性，所以适用为LED用发光体。