公开(公告)号：CN111279475B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201780096250.1

申请日：2017-11-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的目的在于提供一种实现了电感的降低的具有外部连接用框架的半导体装置的构造。而且，就半导体装置的螺钉(4)而言，头部(42)埋入至在壳体(2)的框架载置台(2t)设置的壳体槽部(G2)内，头部(42)的侧面以及表面被壳体(2)覆盖，其结果，螺钉(4)固定于壳体(2)。螺纹部(41)以将在头部(42)的上方配置的框架露出部(31)的框架贯通孔(32)贯通并朝向与基座板(1)相反侧的上方凸出而露出的方式设置。

公开(公告)号：CN111971793B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201880092357.3

申请日：2018-04-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/52 ,  H01L25/18

Abstract: 在基座板(1)的主面配置有半导体元件(4a～4d)和配线用元件(5)。第1导线(11a～11e)对外部电极(7a～7e)与配线用元件(5)的第1中继焊盘(8a～8e)进行连接。第2导线(12a～12e)对半导体元件(4a～4d)的焊盘(13a～13e)与配线用元件(5)的第2中继焊盘(9a～9e)进行连接。树脂(15)对半导体元件(4a～4d)、配线用元件(5)以及第1导线、第2导线(11a～11e、12a～12e)进行封装。第2导线(12a～12e)比第1导线(11a～11e)细。焊盘(13a～13e)比第1中继焊盘(8a～8e)小。

公开(公告)号：CN109952639B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201680090636.7

申请日：2016-11-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  井本裕儿 ,  佐佐木太志 ,  川濑达也

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体芯片(2a)接合于导体基板(1a)的上表面。与半导体芯片(2a)相比控制端子(11a)配置于外侧，该控制端子通过导线(12a)与半导体芯片(2a)的控制电极连接。壳体(10)包围半导体芯片(2a)。封装材料(13)对半导体芯片(2a)进行封装。引线框架(4)具有：接合部(4a)，其接合于半导体芯片(2a)；以及垂直部(4b)，其装入于壳体(10)，从接合部(4a)引出到控制端子(11a)的外侧，相对于半导体芯片(2a)的上表面向垂直方向立起。

公开(公告)号：CN109844941B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201680090157.5

申请日：2016-10-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑达也 ,  中田洋辅 ,  井本裕儿 ,  碓井修

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

Abstract: 在导电性基座板(1)的上表面隔着绝缘基板(2)以及导电性图案(3a～3d)设置有多个半导体元件(4a～4f、5a～5f)。在导电性基座板(1)的下表面设置有多个鳍片(6)。散热性基座板(7)设置于多个鳍片(6)的前端。在底面具有流入口(9a)和流出口(9b)的冷却器(8)包围散热性基座板(7)以及多个鳍片(6)。分隔部(10)将由冷却器(8)和散热性基座板(7)包围的空间分离成与流入口(19a)相连的流入侧空间(11a)和与流出口(9b)相连的流出侧空间(11b)。在散热性基座板(7)的中央部设置有第1狭缝(12a)，在散热性基座板(7)的沿着从流入侧朝向流出侧的方向的两条边分别设置有第2以及第3狭缝(12b、12c)。第1狭缝(12a)与第2以及第3狭缝(12b、12c)的一者是与流入侧空间(11a)连接的流入侧狭缝，另一者是与流出侧空间(11b)连接的流出侧狭缝。

公开(公告)号：CN114792671A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210065866.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 得到能够容易地提高绝缘耐量的半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法。第2导体板(2)与第1导体板(1)分离。多个半导体元件(3)的背面电极与第1导体板连接。中继基板(7)设置于第2导体板之上。中继基板(7)具有多个第1中继焊盘(10)和与多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘(11)。多个半导体元件的控制电极(4)与多个第1中继焊盘分别连接。第1导体块(13)与多个半导体元件(3)的表面电极(5)连接。第2导体块(14)与第2中继焊盘(11)连接。第1导体板(1)从封装材料(15)的第1主面(S1)露出。第2导体板(2)不从第1主面(S1)露出。第1及第2导体块(14)从第2主面(S2)露出。

公开(公告)号：CN108292640A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084694.4

申请日：2015-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑达也 ,  石原三纪夫 ,  宫本昇 ,  中田洋辅 ,  井本裕儿

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H05K7/20927

Abstract: 目的在于提供能够提高半导体装置的冷却性能的技术。半导体装置具备：鳍片部(16)，其包含与导热性基座板(11)的下表面连接的多个凸起部；冷却部件(17)，其与供朝向鳍片部(16)的冷媒流入的流入口(17a)、以及使来自鳍片部(16)的冷媒流出的流出口(17b)连接，且冷却部件(17)将鳍片部(16)覆盖；以及头部(18)，其是设置于流入口(17a)与鳍片部(16)之间，被以能够使冷媒从流入口(17a)流通至鳍片部(16)的方式与鳍片部(16)隔开的储水室。

公开(公告)号：CN105009266B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201380074382.6

申请日：2013-10-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  中野诚也

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。

公开(公告)号：CN117497521A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310938395.9

申请日：2023-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  鹿野武敏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够降低半导体装置整体的应力的技术。半导体装置具有：多个子模块，它们包含第1封装部件；绝缘基板，其设置有与多个子模块的导体板的至少任意1者电连接的第1电路图案；连接部件，其与多个子模块的导体片的至少任意1者电连接；以及第2封装部件，其将多个子模块、绝缘基板、连接部件封装，与第1封装部件相比硬度低。

公开(公告)号：CN113690151A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110528910.7

申请日：2021-05-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及电力控制电路的制造方法。在对半导体装置进行PN结二极管的通电试验的情况下，提高半导体装置的生产率，使半导体装置的成本降低，对进行通电试验时的通电用半导体元件的温度上升进行抑制。在半导体装置的制造方法中，分别内置多个PN结二极管的多个通电用半导体元件的背面与导体板的第1主面连接。另外，导体片连接于多个通电用半导体元件的表面。之后，在导体板的第2主面在具有多个通电用半导体元件、导体板及导体片的半导体装置的半成品的底面露出的状态下进行多个PN结二极管的通电试验。

公开(公告)号：CN108369912B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201580085210.8

申请日：2015-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浜口卓也 ,  中田洋辅 ,  中野诚也 ,  多留谷政良

IPC: H01L21/52

Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有铝电极(2)。焊料连接用的金属膜(3)形成于铝电极(2)之上。有机保护膜(4)在铝电极(2)之上与金属膜(3)分离地形成。有机保护膜(4)与金属膜(3)的间隔大于或等于有机保护膜(4)的厚度的一半。由此，即使在烧结接合时有机保护膜(4)发生变形，其应力也不会传递至金属膜(3)。因此，能够防止焊料连接用的金属膜(3)破裂。