Patent search cpc:"H01L2224/0347" Page 1

1.

发明授权
半导体装置及半导体装置的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN106206420B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610121743.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 内田健悟

IPC: H01L21/768 , H01L23/528

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/03002 , H01L2224/03005 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03831 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05155 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05644 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/014

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。

2.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN107546213A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710502805.X

申请日：2017-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矢岛明 , 山田义明

IPC: H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/061 , H01L2224/06135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2924/3512 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/053 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。

3.

发明授权
形成用于导电互连结构的保护和支撑结构的器件和方法有权

公开(公告)号：CN103050476B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210353423.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 , 陈康 , 方建敏

IPC: H01L23/522 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/481 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0347 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05001 , H01L2224/05027 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/0554 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/48091 , H01L2224/73104 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/01007 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及形成用于导电互连结构的保护和支撑结构的器件和方法。半导体器件具有含有多个接触焊盘的半导体晶片。第一绝缘层在半导体晶片和接触焊盘上形成。第一绝缘层的一部分被移除，从而露出接触焊盘的第一部分，同时留下接触焊盘的第二部分被覆盖。凸块下金属化层和多个凸块在接触焊盘和第一绝缘层上形成。第二绝缘层在第一绝缘层、凸块下金属化层的侧壁、凸块的侧壁以及凸块的上表面上形成。覆盖凸块的上表面的第二绝缘层的一部分被移除，但是第二绝缘层维持在凸块的侧壁和凸块下金属化层的侧壁上。

4.

发明授权
具有穿透衬底互连的半导体构造以及形成穿透衬底互连的方法有权

公开(公告)号：CN103582933B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280027691.3

申请日：2012-05-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 艾伦·G·伍德 , 菲利普·J·爱尔兰

IPC: H01L21/28 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03845 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941

Abstract: 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。

5.

发明公开
指纹感测器及其制造方法无效

公开(公告)号：CN106158760A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610313065.0

申请日：2016-05-12

Applicant: 艾马克科技公司

Inventor： 朴孙杉 , 郑季洋 , 贝瑞·克里斯托佛

IPC: H01L23/04 , H01L23/13 , G06K9/00

CPC classification number: H01L23/053 , B81C3/00 , G06K9/00013 , G06K9/00053 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16227 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27622 , H01L2224/2784 , H01L2224/29006 , H01L2224/29007 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29299 , H01L2224/2939 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/8146 , H01L2224/81464 , H01L2224/81466 , H01L2224/81471 , H01L2224/81484 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2924/014 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0103 , H01L2924/01074 , H01L2924/01028 , H01L2224/034 , H01L2224/114 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/069 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L23/04 , G06K9/00006 , H01L23/13

Abstract: 一种指纹感测器装置和一种制作指纹感测器装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种指纹感测器装置及其制造方法，所述指纹感测器装置包括在裸片的底面上的感测区域，其不具有从顶面感测指纹的顶面电极，和/或所述指纹感测器装置包括直接电连接到板的导电元件的感测器裸片，其中通过所述板感测指纹。

6.

发明公开
半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装无效

公开(公告)号：CN105633046A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510809687.8

申请日：2015-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳承官 , 沈锺辅 , 安殷彻 , 赵泰济

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06102 , H01L2224/09517 , H01L2224/09519 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13017 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14051 , H01L2224/14104 , H01L2224/16238 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/488 , H01L2224/17104

Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装。半导体装置可以包括半导体基底、在半导体基底上的导电垫、覆在半导体基底上并暴露导电垫的钝化层以及凸点结构。凸点结构可以包括导电垫上的第一凸点结构和钝化层上的第二凸点结构。第一凸点结构可以包括顺序地堆叠在导电垫上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层。第二凸点结构可以包括顺序地堆叠在钝化层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。

7.

发明授权
封装组件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN103219316B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210468976.2

申请日：2012-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林鸿仁 , 王宗鼎 , 李建勋 , 吕文雄 , 郑明达 , 刘重希

IPC: H01L23/498 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/768 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0347 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05582 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/21 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/27416 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2224/81 , H01L2924/01029 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了封装组件和形成封装组件的方法，其中，该封装组件包括通过互连接合结构电连接至衬底的半导体管芯。半导体管芯包括上覆半导体衬底的凸块以及上覆半导体衬底并与凸块的第一部分物理接触的模塑料层。衬底包括位于导电区域上的不流动底部填充层。凸块的第二部分与不流动底部填充层物理接触以形成互连接合结构。

8.

发明公开
光刻胶剥离方法无效

公开(公告)号：CN105321807A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410440251.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 颀邦科技股份有限公司

Inventor： 施政宏 , 杨国华 , 侯翔彬

IPC: H01L21/027 , H01L21/48

CPC classification number: H01L21/31133 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/0558 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/1181 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/014

Abstract: 一种光刻胶剥离方法，包含：提供半导体基板、浸泡步骤及剥离步骤，该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸块下金属层、图案化光刻胶层及凸块，该图案化光刻胶层覆盖该凸块下金属层及该凸块的侧面，且该图案化光刻胶层及该凸块的该侧面之间形成有第一接合界面，该图案化光刻胶层及该凸块下金属层之间形成有第二接合界面，在浸泡步骤中，由于该图案化光刻胶接触化学液，可使得该第一接合界面的接合强度减弱，在剥离步骤中以具有适当冲击力的流体冲刷该半导体基板，可使该图案化光刻胶层由该基板上剥离，可大幅减少基板浸泡化学液的时间，并减少化学液的用量，且由于浸泡化学液的时间较短，并不会影响该半导体基板的结构，可大幅提升生产的良率。