公开(公告)号：CN106133913A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015955.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  浜田公守 ,  添野明高 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。

公开(公告)号：CN101401212B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780008242.3

申请日：2007-01-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  浜田公守 ,  宫城恭辅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

Abstract: 一种半导体(100)从其上表面侧依次具有P-主体区域(41)和N-漂移区域(12)。形成通过P-主体区域(41)的栅极沟槽(21)和端子沟槽(62)。各个沟槽在其底部由P扩散区域(51、53)围绕。栅极沟槽(21)其中建立栅电极(22)。形成P-扩散区域(52)，其与栅极沟槽(21)的纵向端部接触，并且浓度低于P-主体区域(41)和P扩散区域(51)。P-扩散区域(52)当栅极电压关闭时在P扩散区域(51)之前耗尽。P-扩散区域(52)用作当栅极电压接通时将空穴供应到P扩散区域(51)的路径。

公开(公告)号：CN106133913B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201580015955.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  浜田公守 ,  添野明高 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。

公开(公告)号：CN102414805B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200980159078.5

申请日：2009-05-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三角忠司 ,  浜田公守

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种二极管的制造方法以及二极管，该制造方法能够高效率地制造不易产生恢复浪涌电压的二极管。所述制造方法为如下的二极管的制造方法，所述二极管具有：高浓度n型半导体层；中浓度n型半导体层，其被形成在高浓度n型半导体层上；低浓度n型半导体层，其被形成在中浓度n型半导体层上；p型半导体层，其被形成在低浓度n型半导体层上。该制造方法具有：在n型半导体基板上，使n型杂质浓度低于n型半导体基板的低浓度n型半导体层外延生长的工序；通过向n型半导体基板的下表面注入n型杂质，从而形成高浓度n型半导体层的工序。

公开(公告)号：CN102414805A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159078.5

申请日：2009-05-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三角忠司 ,  浜田公守

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种二极管的制造方法以及二极管，该制造方法能够高效率地制造不易产生恢复浪涌电压的二极管。所述制造方法为如下的二极管的制造方法，所述二极管具有：高浓度n型半导体层；中浓度n型半导体层，其被形成在高浓度n型半导体层上；低浓度n型半导体层，其被形成在中浓度n型半导体层上；p型半导体层，其被形成在低浓度n型半导体层上。该制造方法具有：在n型半导体基板上，使n型杂质浓度低于n型半导体基板的低浓度n型半导体层外延生长的工序；通过向n型半导体基板的下表面注入n型杂质，从而形成高浓度n型半导体层的工序。

公开(公告)号：CN101401212A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008242.3

申请日：2007-01-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  浜田公守 ,  宫城恭辅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

Abstract: 一种半导体(100)从其上表面侧依次具有P－主体区域(41)和N－漂移区域(12)。形成通过P－主体区域(41)的栅极沟槽(21)和端子沟槽(62)。各个沟槽在其底部由P扩散区域(51、53)围绕。栅极沟槽(21)其中建立栅电极(22)。形成P－扩散区域(52)，其与栅极沟槽(21)的纵向端部接触，并且浓度低于P－主体区域(41)和P扩散区域(51)。P－扩散区域(52)当栅极电压关闭时在P扩散区域(51)之前耗尽。P－扩散区域(52)用作当栅极电压接通时将空穴供应到P扩散区域(51)的路径。