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公开(公告)号：CN108155279A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711209088.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L33/32 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02502 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/68 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L21/02656 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明的课题在于提供一种能够高效地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。本发明的解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：第一层形成工序，在衬底上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层；退火工序，在非活性气体气氛中对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，在退火工序后的第一层上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，从而由第一层和第二层构成氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN100547734C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200680017368.2
申请日：2006-05-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B29/38 , H01S5/323
Abstract: 本发明提供一种第3-5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3-5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3-5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3-5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1759469A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006280.1
申请日：2004-03-04
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/02
CPC classification number: H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 本发明涉及一种具有降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法，其特征在于，在制造具有作为由通式InxGayAlzN(式中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的III－V族化合物半导体单晶，降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板时，具有第一工序和第二工序，其中所述第一工序，使用具有多个突起状形状的该III－V族化合物半导体单晶，用由与该III－V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分；所述第二工序，以该开口部分的III－V族化合物半导体单晶作为种晶，使该III－V族化合物半导体单晶沿着横向生长；能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III－V族化合物半导体单晶的自立基板。
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公开(公告)号：CN108155278B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201711244180.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。
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公开(公告)号：CN108155279B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201711209088.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L33/32 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明的课题在于提供一种能够高效地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。本发明的解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：第一层形成工序，在衬底上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层；退火工序，在非活性气体气氛中对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，在退火工序后的第一层上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，从而由第一层和第二层构成氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN108155278A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711244180.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
CPC classification number: H01L21/02502 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B29/68 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/0095
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。
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公开(公告)号：CN101180710A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017368.2
申请日：2006-05-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B29/38 , H01S5/323
Abstract: 本发明提供一种第3－5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3－5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3－5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3－5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。
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