抗蚀剂处理方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101910952A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200880123110.X

    申请日:2008-12-22

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法,其中,在双图形法等多重图形法中,极微细且精度良好地形成通过第一次抗蚀剂图形形成用的抗蚀剂组合物而得到的图形。本发明为一种抗蚀剂处理方法,其中,包括:将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第1抗蚀剂图形、并对其进行硬烘焙,在其上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第2抗蚀剂图形的工序,其中,所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团,在碱水溶液中不溶或难溶,可与酸作用后溶解。

    化学放大型光致抗蚀剂组合物和形成图案的方法

    公开(公告)号:CN101799629A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010114105.1

    申请日:2010-02-04

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0046 G03F7/0392 G03F7/0397

    Abstract: 本发明提供化学放大型光致抗蚀剂组合物和形成图案的方法。化学放大型光致抗蚀剂组合物包含:由式(I)表示的酸生成剂(A)和树脂,所述树脂包括:衍生自通过酸的作用而在碱中成为可溶性的单体的结构单元(b1),衍生自具有含至少2个羟基的金刚烷基的单体的结构单元(b2)和衍生自具有内酯环的单体的结构单元(b3);式(I)中Q1和Q2独立地表示氟原子或C1至C6全氟烷基;X1表示单键或-[CH2]k-,在-[CH2]k-中含有的-CH2-可以被-O-或-CO代替,并且在-[CH2]k-中含有的氢原子可以被C1至C4脂族烃基代替;k表示整数1至17;Y1表示任选取代的C4至C36饱和环状烃基,在所述饱和环状烃基中含有的-CH2-可以被-O-或-CO代替;并且Z+表示有机阳离子。

    化学增幅正性抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:CN101770173A

    公开(公告)日:2010-07-07

    申请号:CN200910261381.8

    申请日:2009-12-23

    CPC classification number: G03F7/2041 G03F7/0045 G03F7/0397

    Abstract: 本发明提供了一种化学增幅正性抗蚀剂组合物,包含:含有在侧链上具有酸不稳定基团的结构单元的树脂、以及产酸剂,其中,基于所有的结构单元,该树脂含有按摩尔计40%至90%的在侧链上具有酸不稳定基团的结构单元,并且在侧链上具有酸不稳定基团的结构单元包含由式(I)表示的结构单元:其中,R1代表氢原子或甲基基团,Z代表单键或-(CH2)k-CO-O-,k代表1至4的整数,R2在各种情况下独立地是C1-C6烷基基团,以及m代表0至14的整数。

    聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:CN101565486A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200910132097.0

    申请日:2009-04-17

    Inventor: 藤裕介 畑光宏

    CPC classification number: C08F220/10 C08F220/18 C08F220/28 C08F220/32

    Abstract: 本发明提供聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物,所述聚合物包含:由式(Ia)或(Ib)表示的结构单元,其中R1表示氢原子等,R2表示直链、支链或环状C1-C8烷基,R3表示甲基,n表示0至14的整数,Z1表示单键等,k表示1至4的整数,R4和R5各自独立地表示氢原子等,并且m表示1至3的整数;由式(II)表示的结构单元,其中R6和R7各自独立地表示氢原子等,R8表示甲基,R9表示氢原子等,Z2表示单键等,k’表示1至4的整数,Z’表示能够通过酸的作用而消除的基团;以及由式(III)表示的结构单元,其中R10表示羧基等,l’表示0至3的整数,Z3表示单键等,并且k”表示1至4的整数。

    产生光刻胶图案的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101872117A

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN201010153376.8

    申请日:2010-04-21

    Abstract: 本发明提供一种产生光刻胶图案的方法,包括步骤(A)至(D):(A)用第一光刻胶组合物在衬底上形成第一光刻胶膜、使第一光刻胶膜曝露于辐射、然后使曝露过的第一光刻胶膜显影以获得第一光刻胶图案的步骤,第一光刻胶组合物包含树脂、产酸剂和交联剂,树脂含有在其侧链中具有酸不稳定基团的结构单元并且自身在碱性水溶液中不可溶或可溶性差,但通过酸的作用变为在碱性水溶液中可溶,(B)在190-250℃烘焙所得第一光刻胶图案10-60秒的步骤,(C)用第二光刻胶组合物在其上形成有第一光刻胶图案的衬底上形成第二光刻胶膜并使第二光刻胶膜曝露于辐射的步骤,(D)使曝露过的第二光刻胶膜显影以获得第二光刻胶图案的步骤。

    化学放大型抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:CN101271273A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810086570.1

    申请日:2008-03-20

    Abstract: 本发明提供一种化学放大型抗蚀剂组合物,其包含树脂,所述树脂包含:(a)具有酸-不稳定基团的结构单元、(b)具有至少一个羟基的结构单元、(c)具有至少一个内酯结构的结构单元以及(d)由式(Ia)或(Ib)表示的结构单元,其中在所述式(Ia)或(Ib)中,R1表示氢原子或甲基,R3表示甲基,n表示0至14的整数,并且Z表示单键或-[CH2]k-COO-;以及(B)至少一种酸生成剂。

    聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:CN101585896A

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200910139072.3

    申请日:2009-05-15

    Inventor: 藤裕介 畑光宏

    CPC classification number: C08F220/28 C08F220/18 Y10S430/114

    Abstract: 本发明提供聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物,聚合物包含:式(Ia)或(Ib)表示的结构单元,其中R 1 、R 2 、R 3 、n、Z 1 、k、R 4 、R 5 和m具有与说明书相同的含义;式(II)表示的结构单元,其中R 6 、R 7 、R 8 、R 9 、n′、Z 2 、k′、R 21 、R 22 和R 23 具有与说明书相同的含义;以及选自由式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)、(IIId)和(IIIf)表示结构单元中的至少一个结构单元,其中R 10 、R 11 、R 12 、j、a、b、c、Z 3 和k″具有与说明书相同的含义。

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