抗蚀剂处理方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102089715A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200980126839.7

    申请日:2009-07-07

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法,其中,在双图形法等多重图形法中,极微细且精度良好地形成通过第一次抗蚀剂图形形成用的抗蚀剂组合物而得到的图形。本发明为一种抗蚀剂处理方法,其中,包括:将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、全面曝光处理后隔着掩模进行曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第1抗蚀剂图形、并对其进行硬烘焙,在其上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第2抗蚀剂图形的工序,其中,所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团,在碱水溶液中不溶或难溶,可与酸作用后溶解。

    聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:CN101565486A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200910132097.0

    申请日:2009-04-17

    Inventor: 藤裕介 畑光宏

    CPC classification number: C08F220/10 C08F220/18 C08F220/28 C08F220/32

    Abstract: 本发明提供聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物,所述聚合物包含:由式(Ia)或(Ib)表示的结构单元,其中R1表示氢原子等,R2表示直链、支链或环状C1-C8烷基,R3表示甲基,n表示0至14的整数,Z1表示单键等,k表示1至4的整数,R4和R5各自独立地表示氢原子等,并且m表示1至3的整数;由式(II)表示的结构单元,其中R6和R7各自独立地表示氢原子等,R8表示甲基,R9表示氢原子等,Z2表示单键等,k’表示1至4的整数,Z’表示能够通过酸的作用而消除的基团;以及由式(III)表示的结构单元,其中R10表示羧基等,l’表示0至3的整数,Z3表示单键等,并且k”表示1至4的整数。

    用于制备光致抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号:CN102043331A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN201010517468.X

    申请日:2010-10-19

    CPC classification number: G03F7/0035 G03F7/0045 G03F7/0046 G03F7/0397 G03F7/40

    Abstract: 本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括步骤(1)至(11):(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物,接着进行干燥,由此形成第一光致抗蚀剂膜,(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜,(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射,(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜,(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影,由此形成第一光致抗蚀剂图案,(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层,(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物,接着进行干燥,由此形成第二光致抗蚀剂膜,(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜,(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射,(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜,和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影,由此形成第二光致抗蚀剂图案。

    抗蚀剂处理方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101910952A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200880123110.X

    申请日:2008-12-22

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法,其中,在双图形法等多重图形法中,极微细且精度良好地形成通过第一次抗蚀剂图形形成用的抗蚀剂组合物而得到的图形。本发明为一种抗蚀剂处理方法,其中,包括:将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第1抗蚀剂图形、并对其进行硬烘焙,在其上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第2抗蚀剂图形的工序,其中,所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团,在碱水溶液中不溶或难溶,可与酸作用后溶解。

    抗蚀剂处理方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102067041A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200980122599.3

    申请日:2009-06-10

    CPC classification number: G03F7/0035 G03F7/0045 G03F7/0046 G03F7/0397 G03F7/40

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法,在双图案法等多图案法中,以极其微细且精度良好的方式形成由第一抗蚀剂图案形成用的抗蚀剂组合物得到的图案。本发明是一种抗蚀剂处理方法,(1)将含有树脂(A)、光产酸剂(B)及交联剂(C)的第一抗蚀剂组合物涂布在基体上并干燥,得到第一抗蚀剂膜,所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团,不溶或难溶于碱水溶液,并且与酸作用能溶解于碱水溶液,再将第一抗蚀剂膜进行预烘烤、曝光处理、曝光后烘烤、显影,将第一抗蚀剂图案在比所述第一抗蚀剂组合物的玻璃化温度低的温度下保持规定时间,然后,在所述玻璃化温度以上的温度下保持规定时间进行硬烘烤,在其上涂布第二抗蚀剂组合物并干燥,得到第二抗蚀剂膜,再进行预烘烤,曝光处理,曝光后烘烤,显影。

    产生光刻胶图案的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101872117A

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN201010153376.8

    申请日:2010-04-21

    Abstract: 本发明提供一种产生光刻胶图案的方法,包括步骤(A)至(D):(A)用第一光刻胶组合物在衬底上形成第一光刻胶膜、使第一光刻胶膜曝露于辐射、然后使曝露过的第一光刻胶膜显影以获得第一光刻胶图案的步骤,第一光刻胶组合物包含树脂、产酸剂和交联剂,树脂含有在其侧链中具有酸不稳定基团的结构单元并且自身在碱性水溶液中不可溶或可溶性差,但通过酸的作用变为在碱性水溶液中可溶,(B)在190-250℃烘焙所得第一光刻胶图案10-60秒的步骤,(C)用第二光刻胶组合物在其上形成有第一光刻胶图案的衬底上形成第二光刻胶膜并使第二光刻胶膜曝露于辐射的步骤,(D)使曝露过的第二光刻胶膜显影以获得第二光刻胶图案的步骤。

    光致抗蚀剂组合物
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102081303A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN201010559041.6

    申请日:2010-11-23

    Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含树脂,酸生成剂和由式(C1)表示的化合物,其中Rc1表示可以具有一个或多个取代基的芳族基团,Rc2和Rc3各自独立地表示氢原子,可以具有一个或多个取代基的脂族烃基,或可以具有一个或多个取代基的芳族基团,Rc4和Rc6各自独立地表示氢原子或可以具有一个或多个取代基的脂族烃基,或Rc4和Rc6彼此结合以形成烷烃二基,Rc5表示可以具有一个或多个取代基的脂族烃基,或可以具有一个或两个取代基的氨基,Rc7表示氢原子或可以具有一个或多个取代基的脂族烃基,或Rc5和Rc7彼此结合以形成烷烃二基。

    产生光刻胶图案的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101872116A

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN201010153353.7

    申请日:2010-04-21

    Inventor: 畑光宏 釜渊明

    CPC classification number: G03F7/40 G03F7/0035 G03F7/0045 G03F7/0046 G03F7/0397

    Abstract: 本发明提供一种产生光刻胶图案的方法,包括下列步骤:在衬底上施加第一光刻胶组合物然后进行干燥以形成第一光刻胶膜;预烘第一光刻胶膜;将预烘过的第一光刻胶膜曝露于辐射;烘焙曝露过的第一光刻胶膜;用第一碱性显影剂使烘焙过的第一光刻胶膜显影以形成第一光刻胶图案;使形成的第一光刻胶图案对下述步骤中的辐射无活性、不溶于碱性显影剂或者不溶于第二光刻胶组合物;在其上已经形成有第一光刻胶图案的衬底上施加第二光刻胶组合物,然后进行干燥以形成第二光刻胶膜;预烘第二光刻胶膜;使预烘过的第二光刻胶膜曝露于辐射;烘焙曝露过的第二光刻胶膜;和用第二碱性显影剂使烘焙过的第二光刻胶膜显影以形成第二光刻胶图案。

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