公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1992168B8

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101070619B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200710092177.9

申请日：2007-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田俊介 ,  笠井仁

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  Y10S117/902

Abstract: 一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C)至少是50。因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。

公开(公告)号：CN101086963B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN1332480A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01122442.8

申请日：2001-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  笠井仁 ,  冈久拓司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种贯通转位密度小,而且在基体表面中不存在转位束,不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭,在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体,由于转位走向平行于表面,形成低转位密度。将其作为晶种生长GaN。

公开(公告)号：CN101515700B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200910007584.4

申请日：2009-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  笠井仁 ,  京野孝史 ,  元木健作

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由InXGa1-XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000-1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。

公开(公告)号：CN101805928A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010121696.5

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。

公开(公告)号：CN101548400A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1－XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1－XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

公开(公告)号：CN101350333A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810130234.2

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长田英树 ,  笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。

公开(公告)号：CN1670918A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510056314.4

申请日：2005-03-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  元木健作

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406

Abstract: 更低成本地制备具有晶体取向的偏轴GaN单晶独立式衬底，所述的晶体取向是从(0001)偏移的，而不正好是(0001)。由偏轴(111)GaAs晶片作为起始衬底，在起始衬底上气相沉积GaN，其生长倾斜相同偏轴角且与起始衬底相同方向的GaN晶体。可以通过如下方法利用错误取向的(111)GaAs基板作为起始衬底来制备错误取向的独立式GaN衬底：向起始衬底上形成具有多个开口的掩模，通过掩模沉积GaN单晶层，然后除去起始衬底。可以制备错误取向为0.1°至25°的GaN晶体。