公开(公告)号：CN1134037A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120460.2

申请日：1995-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  藤田庆一郎 ,  竹本菊郎 ,  松岛政人 ,  松原秀树 ,  高岸成典 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。

公开(公告)号：CN1164759A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN97104545.3

申请日：1997-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  津充 ,  松岛政人 ,  三浦祥纪 ,  元木健作 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。

公开(公告)号：CN1137690A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96104423.3

申请日：1996-03-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  松原秀树 ,  松岛政人 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm～80nm；形成在缓冲层上的包括Al Ga N(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括In Ga N(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。

公开(公告)号：CN1097847C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN97104545.3

申请日：1997-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  嶋津充 ,  松岛政人 ,  三浦祥纪 ,  元木健作 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。

公开(公告)号：CN1082255C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96104423.3

申请日：1996-03-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  松原秀树 ,  松岛政人 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm至80nm；形成在缓冲层上的包括AlGaN(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括InGaN(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。