公开(公告)号：CN105899472A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580003932.4

申请日：2015-04-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章 ,  栗巢贤一

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。

公开(公告)号：CN106164016B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201580019472.4

申请日：2015-10-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  绵谷研一

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN109476549A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044470.X

申请日：2017-02-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 绵谷研一 ,  宫永美纪 ,  粟田英章

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。

公开(公告)号：CN101541468A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780044321.X

申请日：2007-11-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 绵谷研一 ,  布施敬司 ,  小林丰

IPC: B23K26/08 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明公开了一种聚光光学系统，该聚光光学系统具有小尺寸的会聚光斑和大的焦深而不会引起会聚光斑的强度下降和在焦点位置的前后区域强度分布不连续的问题。该聚光光学系统以预定的焦距会聚由激光源生成的激光束并且设计成满足表达式(a)～(d)，由此产生第三阶和第五阶球面像差：(a)|Z8|≥0.1λ或|Z15|≥0.05λ，(b)Z8/Z15≥3或Z8/Z15＜1，(c)|Z8|＜1.4λ，并且(d)|Z15|＜0.5λ，其中，λ是波长，Z8是波前像差的泽尼克条纹多项式系数中与第三阶球面像差对应的第八项系数，Z15是波前像差的泽尼克条纹多项式系数中与第五阶球面像差对应的第十五项系数。

公开(公告)号：CN110312691B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201780086594.4

申请日：2017-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  粟田英章

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。

公开(公告)号：CN109906211B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201780067435.X

申请日：2017-06-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  粟田英章 ,  德田一弥 ,  富永爱子

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN109906211A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201780067435.X

申请日：2017-06-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  粟田英章 ,  德田一弥 ,  富永爱子

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN105745183B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201580002686.0

申请日：2015-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN106104811A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580015362.0

申请日：2015-08-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  粟田英章

IPC: H01L29/786 ,  C01G41/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 提供了一种由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成的氧化物半导体膜(14)，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、钨和锌，所述氧化物半导体膜中的钨与所述氧化物半导体膜中的铟、钨和锌总和的含量比率高于0.5原子％且等于或低于5原子％，并且电阻率等于或高于10‑1Ωcm。还提供了一种包括所述氧化物半导体膜的半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN105246856A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201580000813.3

申请日：2015-03-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  曾我部浩一

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B28B3/003 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/22 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了：包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，该氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，表观密度高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3，并且钨含量与铟、钨和锌的总含量比高于1.2原子％且低于30原子％，且锌与铟、钨和锌的总计的含量比大于1.2原子％且小于30原子％；还提供了一种包括这种氧化物烧结体的溅射靶；和一种包括通过使用该溅射靶，通过溅射法形成的氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。