-
公开(公告)号：CN1097299C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
-
公开(公告)号：CN1516289A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且在特定波长范围内具有低透光率的表面材料设在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上并且其中在长期使用期间在通过所述表面材料的光照射下由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
-
公开(公告)号：CN1181222C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN97104502.X
申请日：1997-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/481 , C23C16/545
Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。
-
公开(公告)号：CN1197997A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺,在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层;在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层,同时降低它的膜形成速度;以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此,可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
-
公开(公告)号：CN1291062C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN01117434.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4401 , G01M3/002
Abstract: 薄膜淀积设备或工艺，用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气；在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体；施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜；温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热，依据温度传感器的测量值来检漏，从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中，当因意外事故，如管道破裂，而致空气进入真空室时，能迅速检漏，因而能使用自燃性气体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1155105C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，包括：基底，由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料；所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率，在没有所述表面材料的状态下，由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流；其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光，从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
-
公开(公告)号：CN1323917A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：CN01117434.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4401 , G01M3/002
Abstract: 薄膜淀积设备或工艺,用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气;在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体;施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜;温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热,依据温度传感器的测量值来检漏,从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中,当因意外事故,如管道破裂,而致空气进入真空室时,能迅速检漏,因而能使用自燃性气体。
-
公开(公告)号：CN1201265A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , E04D13/18 , H02N6/00
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件,包括:基底,由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料;所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率,在没有所述表面材料的状态下,由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流;其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光,从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
-
公开(公告)号：CN1007564B
公开(公告)日：1990-04-11
申请号：CN86108693
申请日：1986-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10S148/057 , Y10S148/169 , Y10S438/909
Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
-
公开(公告)号：CN86108693A
公开(公告)日：1987-08-12
申请号：CN86108693
申请日：1986-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10S148/057 , Y10S148/169 , Y10S438/909
Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.027 seconds)
