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公开(公告)号：CN111423587A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx-1)、(Sx-2)、及(Sx-3)表示的结构单元中的任一种以上。 ，式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114594657A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111466982.X
申请日：2021-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有：下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基，R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基，R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]虚线表示原子键，R1、R2与前述相同。
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公开(公告)号：CN114594657B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111466982.X
申请日：2021-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有：下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]#imgabs0#R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基，R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基，R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]#imgabs1#虚线表示原子键，R1、R2与前述相同。
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公开(公告)号：CN111423587B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx‑1)、(Sx‑2)、及(Sx‑3)表示的结构单元中的任一种以上。式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN110895380A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910864595.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN1821879A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008521.7
申请日：2006-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明提供与既有的正型光阻组合物相同或具有此数量以上的高敏感度、高分辨率、特别是高反射性基板上的图样形状良好的状态下，减少驻波的发生、降低线边缘粗糙度等特性的正型光阻材料。具有上述特征的正型光阻组合物中的基础树脂所包含的聚合物具有一重复单元，该重复单元含有在248nm波长的光线下会进行吸收的酸不稳定基，而且，该重复单元是以聚合物所有重复单元的1％～10％的比例被包括在该基础树脂内。
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