公开(公告)号：CN112526822B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202010979904.9

申请日：2020-09-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 甲斐佑典 ,  渡边武 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]#imgabs0#式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。

公开(公告)号：CN119059888A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410691756.9

申请日：2024-05-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三宅裕树 ,  渡边武 ,  金生刚 ,  长江祐辅

IPC: C07C41/22 ,  C07C43/12 ,  C07F3/02 ,  C07C1/32 ,  C07C9/22 ,  C07C17/16 ,  C07C19/01 ,  C07C29/128 ,  C07C31/125 ,  C07C41/30 ,  C07C43/10 ,  C07C41/16 ,  C07C43/174 ,  C07C43/13 ,  C07C29/00 ,  C07C31/36 ,  C07C67/14 ,  C07C69/14

Abstract: 本发明涉及一种制备卤代烷基烷氧甲基醚化合物(1B)的方法，其中X1表示卤素原子，且R1表示氢原子、具有1至9个碳原子的正烷基、或苯基，包括以下步骤：将卤代烷基烷氧甲基醚化合物(1A)，其中X1和R1如上定义，转化为亲核试剂4‑烷氧基甲氧基‑1‑甲基丁基(2A)，其中M1A表示Li、MgZ1A、CuZ1A或CuLiZ1A，Z1A表示卤素原子或4‑烷氧基甲氧基‑1‑甲基丁基，且R1如上定义；随后使上述亲核试剂(2A)与环氧丙烷(3)进行亲核加成反应以获得6‑羟基‑4‑甲基庚基烷氧甲基醚化合物(4)，其中R1如上定义；以及使上述化合物(4)进行卤化反应以形成上述卤代烷基烷氧甲基醚化合物(1B)。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118878394A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410539193.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三宅裕树 ,  渡边武 ,  金生刚

IPC: C07C19/01 ,  C07C17/263 ,  C07F3/02 ,  C07C17/20 ,  C07C19/075 ,  C07C1/32 ,  C07C9/22

Abstract: 本发明涉及一种如下通式(1)的1‑卤代‑7‑甲基二十三烷化合物，其中X1表示卤素原子。本发明还涉及制备如下通式(4)的17‑甲基烷烃化合物的方法，其中n表示11至13的整数，该方法包括将上述1‑卤代‑7‑甲基二十三烷化合物(1)转化为如下通式(2)的亲核试剂7‑甲基二十三烷基化合物，其中M1表示Li、MgZ1、CuZ1或CuLiZ1，且Z1表示卤素原子或7‑甲基二十三烷基基团，随后使上述亲核试剂7‑甲基二十三烷基化合物(2)与如下通式(3)的亲电烷基试剂进行偶联反应，其中X2表示卤素原子或对甲苯磺酰氧基基团，且n如上文所定义，以形成上述17‑甲基烷烃化合物(4)。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117924017A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311401465.3

申请日：2023-10-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 山下美与志 ,  渡边武

IPC: C07C17/263 ,  C07C21/19 ,  C07C21/215 ,  C07C22/04 ,  C07C67/11 ,  C07C69/145 ,  C07C69/157 ,  C07C29/09 ,  C07C33/025 ,  C07F9/54

Abstract: 本发明涉及制备以下通式(5)有机卤素化合物的方法，其中R2表示具有1‑10个碳原子的直链、支链或芳族一价烃基，n是1‑10的亚甲基数目且X2表示卤素原子，该方法包括：将以下通式(1)(ω‑卤代‑2‑烯基)三苯基卤化鏻化合物，其中n如通式(5)限定、X1和X2彼此独立表示卤素原子且Ph表示苯基，与以下通式(3)碱金属醇盐，其中R1表示具有1‑6个碳原子的直链或支链烷基且M表示碱金属原子，在X3表示卤素原子的以下通式(2)卤化锂存在时进行磷叶立德制备反应获得反应产物混合物，然后使上述反应产物混合物与其中R2如以上通式(5)限定的以下通式(4)醛化合物进行维蒂希反应，来形成通式(5)有机卤素化合物。#imgabs0#

公开(公告)号：CN111662249B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202010147905.7

申请日：2020-03-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 提箸正义 ,  谷口良辅 ,  渡边武 ,  松井良宪

IPC: C07D303/40 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明涉及环氧化合物、抗蚀剂组合物、及图案形成方法。本发明的课题为提供无损感度而能适当地控制产生自产酸剂的酸的扩散长度的抗蚀剂组合物、及使用了该抗蚀剂组合物的图案。该课题的解决方法为以下式(1)表示的环氧化合物、及含有该环氧化合物的抗蚀剂组合物。式中，X1及X2分别独立地为‑CH2‑或‑O‑。kA为0或1。R1及R2分别独立地为碳数4～20的叔烃基、或选自于下式中的基团。式中，虚线为价键。

公开(公告)号：CN111057088B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201910984985.9

申请日：2019-10-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三井亮 ,  渡边武 ,  橘诚一郎 ,  荻原勤

IPC: C07F7/18

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]

公开(公告)号：CN110627600B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201910539260.9

申请日：2019-06-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 橘诚一郎 ,  渡边武 ,  新井田惠介 ,  长井洋子 ,  泽村昂志 ,  荻原勤 ,  亚历山大·爱德华·赫斯 ,  格雷戈里·布雷塔 ,  丹尼尔·保罗·桑德斯 ,  鲁迪·J·沃伊泰茨基

IPC: C07C1/26 ,  C07C13/567 ,  C07C15/02 ,  C07C13/62 ,  C07C13/66 ,  C07D221/16 ,  C07D519/00 ,  C07C15/50 ,  C07C41/30 ,  C07C43/21 ,  C07C43/285 ,  C07D307/91 ,  C07D209/86 ,  C07D333/08 ,  C07D311/82 ,  C07D335/12 ,  C07C209/68 ,  C07C211/55 ,  C07C29/32 ,  C07C35/38 ,  C07C37/16 ,  C07C39/225 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的结构。式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。

公开(公告)号：CN111995751A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010451030.X

申请日：2020-05-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  泽村昂志 ,  新井田惠介 ,  橘诚一郎 ,  渡边武 ,  荻原勤

IPC: C08G73/12 ,  C08J5/18 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。

公开(公告)号：CN110627600A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910539260.9

申请日：2019-06-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 橘诚一郎 ,  渡边武 ,  新井田惠介 ,  长井洋子 ,  泽村昂志 ,  荻原勤 ,  亚历山大·爱德华·赫斯 ,  格雷戈里·布雷塔 ,  丹尼尔·保罗·桑德斯 ,  鲁迪·J·沃伊泰茨基

IPC: C07C1/26 ,  C07C13/567 ,  C07C15/02 ,  C07C13/62 ,  C07C13/66 ,  C07D221/16 ,  C07D519/00 ,  C07C15/50 ,  C07C41/30 ,  C07C43/21 ,  C07C43/285 ,  C07D307/91 ,  C07D209/86 ,  C07D333/08 ,  C07D311/82 ,  C07D335/12 ,  C07C209/68 ,  C07C211/55 ,  C07C29/32 ,  C07C35/38 ,  C07C37/16 ,  C07C39/225 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的结构。 式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。

公开(公告)号：CN102040700B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010505496.X

申请日：2010-10-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  渡边武 ,  土门大将 ,  渡边聪

IPC: C08F212/14 ,  C08F8/12 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0392 ,  C08F8/12 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/1833 ,  C08F2220/185 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  C08F220/30 ,  C08F230/08

Abstract: 提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中，该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构，并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地，提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤，所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构，所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物，条件是在所述仲胺化合物中，耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。