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公开(公告)号：CN119902409A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411465764.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的反射型掩模坯料，用于将EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的原材料，其特征在于，包括：基板10；在所述基板10的一个主表面上形成的反射曝光光的多层反射膜20；与所述多层反射膜20相接地形成的保护膜50；以及用于吸收在所述保护膜50上形成的曝光光的吸收膜70。所述保护膜50由含有钌(Ru)的膜形成。所述吸收膜70由钽(Ta)和氮(n)构成的单层膜形成，其中，氮的含量为30原子％以上且小于60原子％。对于波长193nm～248nm光，在所述保护膜50的表面的反射光和在所述吸收膜70的表面的反射光的对比度为20％以上。
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公开(公告)号：CN110554563B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910460886.0
申请日：2019-05-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料、制造光掩模的方法和光掩模。具体提供一种光掩模坯料，其在基板上包括加工膜和由含铬材料制成的膜，所述由含铬材料制成的膜形成为与加工膜接触并具有第一、第二和第三层的三层结构，所述第一、第二和第三层的每个层都含铬、氧和氮，其中第一层的铬含量为40原子％以下，氧含量为50原子％以上，氮含量为10原子％以下，厚度为20nm以上，第二层的铬含量为50原子％以上，氧含量为20原子％以下，氮含量为30原子％以上，第三层的铬含量为40原子％以下，氧含量为50原子％以上，氮含量为10原子％以下。
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公开(公告)号：CN114113100A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110969576.9
申请日：2021-08-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G01N21/88
Abstract: 提供一种基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置，在利用来自被检查基板的散射光的暗视场检查中，能够适当设定确定检测灵敏度的阈值而实现可靠性高的相位缺陷检查。一种基板的缺陷检查方法，具有：在第一聚光光学系统中向被检查基板照射来自EUV光源的EUV光的工序；在第二聚光光学系统中向传感器的受光面引导从被检查基板反射的反射光中的除去正反射光的散射光的工序；当接受的散射光的强度超过规定的阈值时，判断为在被检查基板的EUV光的照射处存在缺陷的工序，该方法具有：反射率获取工序，在向被检查基板照射EUV光之前预先获得被检查基板的EUV光的反射率；阈值运算工序，基于在该反射率获取工序中获得的反射率确定规定的阈值。
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公开(公告)号：CN113515006A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110380334.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜；吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层；第一层由钽和氮组成，并且含有55至70at％的钽和30至45at％的氮；第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成。
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公开(公告)号：CN107430328B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201680013518.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si‑Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106019810B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201610195663.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明提供半色调相移掩模坯，包括透明基板和半色调相移膜，该半色调相移膜由具有至少90at％的Si+N+O含量、30‑70at％的Si含量、30‑60at％的N+O含量和30at％以下的O含量的硅基材料组成，并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄，在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。
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公开(公告)号：CN106019809B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610195910.9
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 在包括透明基底和其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯中，该半色调相移膜由硅基材料组成，该硅基材料由硅、氮和0‑6at％的氧构成，该半色调相移膜具有至少2.4的折射率n、0.4‑0.7的消光系数k为和40‑67nm的厚度。该半色调相移膜足够薄从而对光掩模图案形成有利，并且具有对化学清洁的耐化学品性，并保持对于相移功能所需的相移和对于半色调功能所需的透射率。
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公开(公告)号：CN110554563A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910460886.0
申请日：2019-05-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料、制造光掩模的方法和光掩模。具体提供一种光掩模坯料，其在基板上包括加工膜和由含铬材料制成的膜，所述由含铬材料制成的膜形成为与加工膜接触并具有第一、第二和第三层的三层结构，所述第一、第二和第三层的每个层都含铬、氧和氮，其中第一层的铬含量为40原子％以下，氧含量为50原子％以上，氮含量为10原子％以下，厚度为20nm以上，第二层的铬含量为50原子％以上，氧含量为20原子％以下，氮含量为30原子％以上，第三层的铬含量为40原子％以下，氧含量为50原子％以上，氮含量为10原子％以下。
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公开(公告)号：CN103123442B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201210543966.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN106997145A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710052066.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。
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