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公开(公告)号：CN114310530B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN106908177B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710154020.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种测量各向异性材料平面应力的装置，涉及一种材料平面应力检测装置。是要解决现有应力检测方法测量精度不高的问题。该装置包括超声换能器组、超声斜入射楔块、信号发生器、数字示波器和分析处理软件；第一超声纵波激发探头、第二超声纵波激发探头和第三超声纵波激发探头分别与信号发生器连接；第一超声纵波接收探头、第二超声纵波接收探头和第三超声纵波接收探头分别与数字示波器连接；信号发生器与数字示波器连接；所述分析处理软件与所述数字示波器连接。该装置基于各向异性三向法，采用临界折射纵波作为检测波源，测量效率高、操作简单，可广泛应用于航空航天、武器制造、车辆等领域中各向异性材料中平面应力的检测和分析。
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公开(公告)号：CN113130305B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110232940.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
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公开(公告)号：CN114310530A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN113130305A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110232940.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112980599A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202982.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D1/835 , C11D1/825 , C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/39 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D11/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶清洗剂及其应用。本发明的碳化硅单晶清洗剂包括以下原料：金属螯合剂、表面活性剂、过氧化氢、氟化物和硫酸。本发明的清洗剂，通过表面活性剂和螯合剂的协同作用，实现了对金属离子的去除；通过表面活性剂实现了对表面杂质的去除；该清洗剂实现了晶片表面0.5μm的颗粒度≤1000，对碳化硅单晶的清洗效果有显著的提升。
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公开(公告)号：CN108511721B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810297516.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/054 , C01B32/158
Abstract: 钠离子电池负极用VC0.75@NPC复合材料、制备及应用，本发明属于钠离子电池负极材料制备领域，具体是钠离子电池负极用VC0.75@NPC材料、制备及应用。本发明是要解决现有钠离子电池用负极材料不能在保证良好比容量的前提下，又能有效提高材料的循环稳定性的问题。方法：一、制备三聚氰胺分散液；二、将络合酸加入分散液中，得到沉淀；三、沉淀清洗干燥得前驱体A；四、制备含有钒源、磷源的凝胶；五、将前驱体A和凝胶混合，干燥得前驱体B；六、将前驱体B在氩气或氮气的条件下升温并保温，得黑色粉末；七、将黑色粉末清洗干燥后，即得VC0.75@NPC复合材料。复合材料作为钠离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN113005518B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110200678.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN113005518A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110200678.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN110265504B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910588485.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外光电探测器，包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极，还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线，所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接；所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化镍量子点，所述氧化镍量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p‑n结。本发明提供的紫外光电探测器，利用氮化铝纳米线和氧化镍量子点之间形成的p‑n结，有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度，从而提高紫外光电探测器的光电导增益，实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
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