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公开(公告)号：CN115026715B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210225634.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 生成用于抛光工艺的配方，包括：接收目标移除曲线，所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度；存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数；存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一个或多个区域的一个或多个压强的第二函数；以及对于所述多个区域中的每个特定区域，计算定义该特定区域的随时间变化的压强的配方。计算所述配方包括：从定义抛光速率的第二函数和提供随时间变化的相对于该区域的基板方向的第一函数来计算抛光后的预期厚度曲线；以及应用最小化算法以减小预期厚度曲线和目标厚度曲线之间的差异。
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公开(公告)号：CN119604387A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380056179.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于化学机械抛光的示例性抛光方法可包括：使基板与基板载体的膜接合。方法可包括：将基板夹持在由基板载体限定的基本上平坦的表面上。夹持可减少基板中的弯曲。方法可包括：抛光基板上的一种或多种材料达第一时间段。方法可包括：使基板与基本上平坦的表面脱离。方法可包括：抛光基板上的一种或多种材料达第二时间段。
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公开(公告)号：CN103537975A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310496357.9
申请日：2009-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·钱 , S·瀚达帕尼 , H·Q·李 , T·H·奥斯特赫尔德 , Z·朱
IPC: B24B37/013 , B24B49/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/02 , H01L21/304
Abstract: 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，和基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
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公开(公告)号：CN114270477A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058447.8
申请日：2020-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/12
Abstract: 一种化学机械研磨系统包括：计量站，具有被配置为测量基板的厚度轮廓的传感器；机械臂，被配置为将基板从计量站传送到研磨站，研磨站具有：用于支撑具有研磨表面的研磨垫的平台；研磨表面上的承载头，承载头具有经配置以施加压力至承载头中基板的膜；以及控制器，控制器被配置为接收来自传感器的测量值并被配置为控制机械臂以根据基板轮廓与承载头的去除轮廓定向承载头中的基板。
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公开(公告)号：CN102017094B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200980116558.3
申请日：2009-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·钱 , S·瀚达帕尼 , H·Q·李 , T·H·奥斯特赫尔德 , Z·朱
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，以及基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102549718A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080045712.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45523 , C30B25/14 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262
Abstract: 在此提供用于处理基板的方法与设备。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有配置于所述处理腔室中的基板支撑件，以在所述处理腔室内于期望的位置支撑基板的处理表面；第一进入通口，用于在第一方向提供所述基板的所述处理表面上方的第一处理气体；第二进入通口，用于在有别于所述第一方向的第二方向提供所述基板的所述处理表面上方的第二处理气体，其中在所述第一方向与所述第二方向之间测量到的相对于所述基板支撑件的中心轴的方位角最高达约145度；以及排放通口，被置于所述第一进入通口对面，以从所述处理腔室排放所述第一与所述第二处理气体。
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公开(公告)号：CN118456270A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410708261.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 生成用于抛光工艺的配方，包括：接收目标移除曲线，所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度；存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数；存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一个或多个区域的一个或多个压强的第二函数；以及对于所述多个区域中的每个特定区域，计算定义该特定区域的随时间变化的压强的配方。计算所述配方包括：从定义抛光速率的第二函数和提供随时间变化的相对于该区域的基板方向的第一函数来计算抛光后的预期厚度曲线；以及应用最小化算法以减小预期厚度曲线和目标厚度曲线之间的差异。
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公开(公告)号：CN115035401A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210224774.7
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: G06V20/10 , G06V10/44 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N20/00
Abstract: 本申请公开了用于对保持环进行分类的机器学习。一种用于优化抛光的方法，包括对于安装在特定承载头上的多个保持环中的每个相应保持环，使用坐标测量机对安装在特定承载头上的相应保持环的底表面执行测量并且收集使用相应保持环抛光的基板的相应去除轮廓。基于对保持环的底表面和相应去除轮廓的测量来训练机器学习模型。
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公开(公告)号：CN115026715A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210225634.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 生成用于抛光工艺的配方，包括：接收目标移除曲线，所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度；存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数；存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一个或多个区域的一个或多个压强的第二函数；以及对于所述多个区域中的每个特定区域，计算定义该特定区域的随时间变化的压强的配方。计算所述配方包括：从定义抛光速率的第二函数和提供随时间变化的相对于该区域的基板方向的第一函数来计算抛光后的预期厚度曲线；以及应用最小化算法以减小预期厚度曲线和目标厚度曲线之间的差异。
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公开(公告)号：CN102549718B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201080045712.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45523 , C30B25/14 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262
Abstract: 在此提供用于处理基板的方法与设备。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有配置于所述处理腔室中的基板支撑件，以在所述处理腔室内于期望的位置支撑基板的处理表面；第一进入通口，用于在第一方向提供所述基板的所述处理表面上方的第一处理气体；第二进入通口，用于在有别于所述第一方向的第二方向提供所述基板的所述处理表面上方的第二处理气体，其中在所述第一方向与所述第二方向之间测量到的相对于所述基板支撑件的中心轴的方位角最高达约145度；以及排放通口，被置于所述第一进入通口对面，以从所述处理腔室排放所述第一与所述第二处理气体。
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