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公开(公告)号：CN109314050B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201780035156.5
申请日：2017-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 一种用于使用研磨模块研磨基板上管芯位置的方法。在计量站预先测量所述基板上选择的位置处的厚度，每个位置对应于单个管芯的位置。将所述计量站针对所选择的基板的所述位置所获得的所述厚度提供给研磨模块的控制器。针对所述基板上每个所选择的位置确定厚度改正。针对每个所选择的位置由所述厚度改正形成研磨配方中的研磨步骤。计算针对每个管芯位置的研磨参数以用于所述配方。
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公开(公告)号：CN114270477A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058447.8
申请日：2020-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/12
Abstract: 一种化学机械研磨系统包括：计量站，具有被配置为测量基板的厚度轮廓的传感器；机械臂，被配置为将基板从计量站传送到研磨站，研磨站具有：用于支撑具有研磨表面的研磨垫的平台；研磨表面上的承载头，承载头具有经配置以施加压力至承载头中基板的膜；以及控制器，控制器被配置为接收来自传感器的测量值并被配置为控制机械臂以根据基板轮廓与承载头的去除轮廓定向承载头中的基板。
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公开(公告)号：CN115026715B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210225634.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 生成用于抛光工艺的配方，包括：接收目标移除曲线，所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度；存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数；存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一个或多个区域的一个或多个压强的第二函数；以及对于所述多个区域中的每个特定区域，计算定义该特定区域的随时间变化的压强的配方。计算所述配方包括：从定义抛光速率的第二函数和提供随时间变化的相对于该区域的基板方向的第一函数来计算抛光后的预期厚度曲线；以及应用最小化算法以减小预期厚度曲线和目标厚度曲线之间的差异。
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公开(公告)号：CN109155249B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201780029883.0
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 一种研磨模块包含：夹具，所述夹具具有基板接收表面和；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件绕着所述夹具的所述周边定位，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合至致动器，所述致动器提供相应的研磨垫组件相对于所述基板接收表面在以下中的一个或更多个上的移动：扫动方向、径向方向、和震荡模式，且在径向移动中限制为约小于从所述夹具的所述周边所测量的所述夹具的半径的一半。
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公开(公告)号：CN109075054A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027584.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
Abstract: 一种研磨模块，包括卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周边；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件定位在所述卡盘的所述周边的周围，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合到致动器，所述致动器相对于所述基板接收表面在扫动方向、径向方向，和振荡模式中提供相应的所述研磨垫组件的移动，并且所述一个或更多个研磨垫组件的径向移动被限制为从所述卡盘的所述周边起测量的所述卡盘的半径的小于约二分之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108883515A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019865.4
申请日：2017-03-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/26 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 化学机械抛光系统包含：基板支撑件，所述基板支撑件经配置以保持基板；抛光垫组件，所述抛光垫组件包含膜及抛光垫部分，所述抛光垫部分具有抛光表面、抛光垫载具及驱动系统，所述驱动系统经配置以造成所述基板支撑件与所述抛光垫载具之间的相对运动。所述抛光垫部分在与所述抛光表面相对的一侧上结合至所述膜。所述抛光表面具有平行于所述抛光表面、比所述基板的直径小至少四倍的宽度。所述抛光垫部分的外表面包含至少一个凹部及具有顶部表面的至少一个平台部，所述顶部表面提供所述抛光表面。所述抛光表面具有多个边缘，所述多个边缘由所述至少一个凹部的侧壁与所述至少一个平台部的顶部表面之间的交会处来界定。
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公开(公告)号：CN109075054B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780027584.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
Abstract: 一种研磨模块，包括卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周边；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件定位在所述卡盘的所述周边的周围，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合到致动器，所述致动器相对于所述基板接收表面在扫动方向、径向方向，和振荡模式中提供相应的所述研磨垫组件的移动，并且所述一个或更多个研磨垫组件的径向移动被限制为从所述卡盘的所述周边起测量的所述卡盘的半径的小于约二分之一。
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公开(公告)号：CN109314050A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780035156.5
申请日：2017-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/3212 , G01B11/03 , G01B11/06 , G01B11/306 , G01B21/08 , G01B21/30 , H01L21/304 , H01L21/31053 , H01L22/00 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种用于使用研磨模块研磨基板上管芯位置的方法。在计量站预先测量所述基板上选择的位置处的厚度，每个位置对应于单个管芯的位置。将所述计量站针对所选择的基板的所述位置所获得的所述厚度提供给研磨模块的控制器。针对所述基板上每个所选择的位置确定厚度改正。针对每个所选择的位置由所述厚度改正形成研磨配方中的研磨步骤。计算针对每个管芯位置的研磨参数以用于所述配方。
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公开(公告)号：CN118456270A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410708261.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 生成用于抛光工艺的配方，包括：接收目标移除曲线，所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度；存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数；存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一个或多个区域的一个或多个压强的第二函数；以及对于所述多个区域中的每个特定区域，计算定义该特定区域的随时间变化的压强的配方。计算所述配方包括：从定义抛光速率的第二函数和提供随时间变化的相对于该区域的基板方向的第一函数来计算抛光后的预期厚度曲线；以及应用最小化算法以减小预期厚度曲线和目标厚度曲线之间的差异。
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公开(公告)号：CN115035401A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210224774.7
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: G06V20/10 , G06V10/44 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N20/00
Abstract: 本申请公开了用于对保持环进行分类的机器学习。一种用于优化抛光的方法，包括对于安装在特定承载头上的多个保持环中的每个相应保持环，使用坐标测量机对安装在特定承载头上的相应保持环的底表面执行测量并且收集使用相应保持环抛光的基板的相应去除轮廓。基于对保持环的底表面和相应去除轮廓的测量来训练机器学习模型。
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