公开(公告)号：CN105518828A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480047084.2

申请日：2014-08-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物、使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。

公开(公告)号：CN106537559A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038703.6

申请日：2015-07-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩室光则 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。

公开(公告)号：CN105814665A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480067286.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下，第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替，此时，在第二扩散工序中，以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。

公开(公告)号：CN103342986B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201310241746.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。

公开(公告)号：CN103333661B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310241712.8

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。

公开(公告)号：CN107148662A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580056781.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素且粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末和分散介质的n型扩散层形成组合物、以及使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。

公开(公告)号：CN105830200A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069124.3

申请日：2014-12-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。

公开(公告)号：CN102232242B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200980148395.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。