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公开(公告)号：CN114137793B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111309008.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F1/00 , G03F1/36 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及光学掩模设计技术领域，提出一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统，其中包括以下步骤：构建光刻系统模型；基于Pytorch神经网络框架建立光刻系统层；获取现有目标布局作为数据样本组成训练集，并对所述目标布局进行数据增强处理；将Unet网络与所述光刻系统层连接组成自编码网络，将训练集输入所述自编码网络中进行训练，并基于BP算法对Unet网络的参数进行优化，得到完成训练的Unet网络；将目标布局输入完成训练的Unet网络中，输出得到无标签反演光刻合成掩模。本发明无需再通过传统ILT得到合成掩模作为数据标签，实现工作效率、图案保真度、掩膜的可制造性以及运行时间优于传统ILT技术。
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公开(公告)号：CN117331285B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311274239.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种离散化数字掩模光刻生产任意线宽和任意间距图案的方法，应用于无掩模投影光刻领域，包括：基于液晶空间光调制器的灰度与归一化输出强度的线性关系曲线，根据目标光刻图案的线宽及间距要求，基于成像规则迭代优化得到对应的像素化灰度掩模；通过计算机控制液晶空间光调制器加载像素化灰度掩模，对经半波片调制为水平偏振态的入射匀化光场进行离散化调制，进入偏振分光棱镜反射得到目标光场分布；目标光场分布被投影物镜收集并缩放至光刻胶层，得到符合线宽及间距要求的目标光刻图案。本发明克服了空间光调制器离散像素量化造成的光刻线宽与线条间距只能在单像素大小的基础上成倍缩小，而较难实现高精度可控的任意值线宽与间距的问题。
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公开(公告)号：CN113608300B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110776268.4
申请日：2021-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提出一种具有串扰抑制功能的双色光栅耦合器，包括衬底，以及位于衬底上表面的光栅耦合结构，光栅耦合结构的两侧分别设置有第一传输波导和第二传输波导，第一传输波导和第二传输波导中分别设置有第一布拉格光栅反射器和第二布拉格光栅反射器；其中，光栅耦合结构为周期性光栅结构，用于对入射的双波段光中任意中心波长一和中心波长二进行双色耦合；第一传输波导用于传输中心波长一，第二传输波导用于传输中心波长二。其中第一布拉格光栅反射器和第二布拉格光栅反射器组成非对称DBR结构实现串扰波长抑制及耦合效率提升，第一传输波导和第二传输波导组成非对称传输波导，达到进一步提升双色耦合效率的目的。
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公开(公告)号：CN112596348A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011488603.2
申请日：2020-12-16
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于相位调制提高投影光刻分辨率的系统及方法，根据不同的光刻图案，在DMD芯片生成数字掩膜图案前可直接对平行光束进行调制，通过上位机加载编程的像素化相位参数信息，而无需改变投影成像系统；另外，由于DMD生成的数字掩模图案可编程，通过上位机进行控制，可改变传统成像系统中DMD芯片所产生数字掩模图案的相位参数，在相邻像元引入π或π奇数倍的相位差，使得相邻面元投影光产生干涉相消，减小光场分布中暗区光强、增大亮区光场，从而提高成像对比度，既显著提高了投影光刻分辨率，又无需考虑DMD芯片微镜面元上无法沉积移相介质层的问题。
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公开(公告)号：CN115857117B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211557336.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种片上分光中红外探测装置、设备及成像方法，包括：双色耦合分光光栅，第一模斑转换结构，第二模斑转换结构，第一传输波导，第二传输波导，第一封装模块，第二封装模块，第一光电探测，第二光电探测，第一制冷结构，第二制冷结构；其中，中红外光从双色耦合分光光栅射入后进行双色耦合，再分别通过双色耦合分光光栅的两侧的第一、第二模斑转换结构，而后分别经过第一、第二传输波导传输到第一、第二光电探测，输出对第一、第二波长的探测；第一、第二封装模块封装的分别是第一、第二光电探测，第一、第二制冷结构分别覆盖第一、第二封装模块。采用本发明可以减少干扰，实现双色成像和高效率、大带宽多波长探测，降低探测器成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112596347B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011488602.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法，包括以下步骤：将目标光刻版图的密集图案拆解为N个低密度稀疏光刻图案；利用空间光调制器对曝光光束进行空间像素化调制，生成N个低密度稀疏数字掩膜图案；衬底上涂覆有光刻胶，N个低密度稀疏数字掩膜图案经过投影物镜成像于光刻胶，并交替曝光N次；进行后处理，最终得到高密度纳米线阵列光刻图案。本发明通过交替曝光N次低密度稀疏图案(最小周期不小于λ/2)，将纳米线条的密度提高N倍，实现密集图案曝光(最小周期可小于λ/2)，显著提高了投影光刻分辨率。另外，由于空间光调制器的组件中像素间距固定不存在对准误差，因此无需实体掩模板的套刻对准的步骤，即可实现一次涂胶的多重曝光工艺。
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公开(公告)号：CN117165916A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310936145.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/02 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用。本发明提供了一种成核和生长分开来合成阵列化二维材料的有效方法，该方法利用光刻技术图案化和阵列化版图，通过镀膜技术精准控制材料的成核位点，为后续阵列化二维材料的生长提供诱导源，从而获得了高质量图案化二维材料的阵列生长；该方法不仅操作流程简单而且能够得到无污染、无损坏的阵列化生长的二维材料，在电子器件集成化或微型化中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116924354A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310861159.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料的剥离和转移制备方法，涉及二维材料制备技术领域。本发明将二维材料的单晶块体黏附在胶带上，将黏附有单晶块体的胶带进行对粘，得到黏附二维材料的胶带；将所述黏附二维材料的胶带进行加热；将加热的胶带平整黏附在置于载玻片上的PDMS薄膜上，将胶带撕下，二维材料被转移至载玻片的PDMS薄膜上，得到带有二维材料的载玻片；将所述带有二维材料的载玻片快速压制在衬底上，使PDMS薄膜与衬底紧密贴合，待二维材料黏附在衬底后，缓慢抬起载玻片，使PDMS薄膜与衬底分离，二维材料被转移至衬底上。本发明实现了高产量、高效率和高平整度二维材料转移的制备。
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公开(公告)号：CN113495435B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110580510.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明为解决数字掩模投影光刻存在实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提出一种数字掩模投影光刻优化方法及系统，其方法包括以下步骤：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型；建立以数字掩膜为变量的关于图形保真度的代价函数F；给定二元的目标图形并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数F计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模M；将所述数字掩模M加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案Z。
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公开(公告)号：CN115857117A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557336.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种片上分光中红外探测装置、设备及成像方法，包括：双色耦合分光光栅，第一模斑转换结构，第二模斑转换结构，第一传输波导，第二传输波导，第一封装模块，第二封装模块，第一光电探测，第二光电探测，第一制冷结构，第二制冷结构；其中，中红外光从双色耦合分光光栅射入后进行双色耦合，再分别通过双色耦合分光光栅的两侧的第一、第二模斑转换结构，而后分别经过第一、第二传输波导传输到第一、第二光电探测，输出对第一、第二波长的探测；第一、第二封装模块封装的分别是第一、第二光电探测，第一、第二制冷结构分别覆盖第一、第二封装模块。采用本发明可以减少干扰，实现双色成像和高效率、大带宽多波长探测，降低探测器成本。
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