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公开(公告)号:CN102473598A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201180002730.X
申请日:2011-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 中川彻
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/2007 , H01L21/84 , H01L24/95 , H01L2224/95085 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/15155 , H01L2924/15165 , H01L2924/15788 , H01L2924/15153 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的方法包括:准备包含具有第一凹槽和第二凹槽的表面的第一基板,所述第二凹槽的底部包含第一电极;把第一基板浸入电解质溶液中;把第二电极插入电解质溶液中;在第一电极和第二电极之间施加电压的同时,把气泡注入电解质溶液中,从而仅把气泡布置于第一凹槽上;把第一微结构分散到电解质溶液中,从而把第一微结构布置于第一凹槽上;把气泡注入电解质溶液中,从而把气泡布置于第二凹槽上;以及把第二微结构分散到电解质溶液中,从而把第二微结构布置于第二凹槽上。
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公开(公告)号:CN102047307A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980120312.3
申请日:2009-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 中川彻
IPC: G09F9/00 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L24/95 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/13099 , H01L2224/83192 , H01L2224/95085 , H01L2224/95145 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种在形成于基板上的电极上配置电子元件并电接合的方法,包括以下的预备工序以及工序1~4:预备工序为:准备在表面形成有被防水性区域(103)包围的亲水性区域(102)的基板(101);工序1为:在基板(101)上涂敷金属化合物分散在水中的无电镀液(105),在亲水性区域(102)配置无电镀液(106);工序2为:在基板(101)上涂敷具有元件电极的电子元件(110)分散在第1液体(111)中的电子元件分散液(109),使电子元件(110)从第1液体(111)移动至无电镀液(106),使亲水性电极与元件电极接触;工序3为:在无电镀液(106)中所包含的全部水挥发消失之前,基板(101)的表面被第2液体(114)覆盖,亲水性电极和所述元件电极之间发生电镀反应,电接合所述亲水性电极和所述元件电极;工序4为:从基板(101)中除去所述第2液体(114)。
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公开(公告)号:CN102017106A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980115067.7
申请日:2009-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , G02F1/1368 , H05K3/38
CPC classification number: H05K3/303 , G02F1/1368 , H01L24/95 , H01L25/0655 , H01L2224/83192 , H01L2224/95085 , H01L2224/95102 , H01L2224/95145 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01093 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H05K2201/10166 , H05K2203/0139 , H05K2203/0776 , H05K2203/1173 , H05K2203/1476 , Y02P70/613 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在基板上装配多个部件的方法,其包括:(1a)准备第一液体的工序;(1b)准备含有部件和第二液体的部件含有液的工序(这里,第一液体不溶于第二液体,并且相对于部件的表面、第一区域和线的润湿性高于第二液体所具有的润湿性,其中所述线的宽度小于各部件的最小长度);(2)在第一区域(11)和线上配置第一液体的工序;(3)使向基板供给部件含有液的涂刷器以跨过线的方式从基板的上述一端侧向上述另一端侧相对于基板相对移动,由此使部件含有液与配置于第一区域的第一液体接触的工序;和(4)通过从基板上除去第一液体和第二液体,在各第一区域中配置各部件的工序。
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公开(公告)号:CN101884255A
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200980101190.3
申请日:2009-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 中川彻
IPC: H05K3/38 , B41M3/00 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: B41M3/00 , B82Y10/00 , H01L21/288 , H01L27/14685 , H05K3/1208 , H05K2203/1173
Abstract: 本发明提供一种将两种物质有选择地配置于基板的表面的方法,该方法是将具有亲水性的表面的第一物质(108)和表面被烃基覆盖的第二物质(112)有选择地配置于基板(101)的表面的方法。基板(101)在表面具有亲水性的第一区域(102)、表面被烃基覆盖的第二区域(103)和表面被氟碳基覆盖的第三区域(104)。本发明的方法包括以下工序:(1)将包含第一物质和水溶性溶剂的溶液(105)涂敷于基板(101)的工序;(2)通过从基板(101)的表面除去水溶性溶剂,将第一物质(108)配置于第一区域(102)的表面的工序;(3)将基板(101)浸渍于包含在分子中具有氟的醇的液体(201)中的工序;(4)将基板(101)浸渍于液体(201)中,并且将包含第二物质和有机溶剂的溶液(110)涂敷于基板(101)的表面的工序;(5)从液体(201)中取出基板(101)的工序;和(6)通过从基板(101)的表面除去有机溶剂,将第二物质(112)配置于第二区域(103)的表面的工序。
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公开(公告)号:CN1700990A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN200480001113.8
申请日:2004-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2002/14491
Abstract: 一喷墨头单元,包括:一喷头2,其中形成各包括许多喷嘴孔的多个喷嘴阵列(2a、2b、2c、2d),墨从喷嘴孔被喷射;一喷头座,喷头(2)被安装在喷头座上;以及扁平电缆(4a、4b),其是通过用绝缘膜包裹许多传输线柔性地形成的,扁平电缆中传输线被暴露的一端在喷嘴阵列(2a、2b)和喷嘴阵列(2c、2d)之间的安装部分(7a、7b)中被固定在喷头(2)上,从而传输用于驱动喷头的喷墨信号。
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公开(公告)号:CN102017106B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200980115067.7
申请日:2009-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , G02F1/1368 , H05K3/38
CPC classification number: H05K3/303 , G02F1/1368 , H01L24/95 , H01L25/0655 , H01L2224/83192 , H01L2224/95085 , H01L2224/95102 , H01L2224/95145 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01093 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H05K2201/10166 , H05K2203/0139 , H05K2203/0776 , H05K2203/1173 , H05K2203/1476 , Y02P70/613 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在基板上装配多个部件的方法,其包括:(1a)准备第一液体的工序;(1b)准备含有部件和第二液体的部件含有液的工序(这里,第一液体不溶于第二液体,并且相对于部件的表面、第一区域和线的润湿性高于第二液体所具有的润湿性,其中所述线的宽度小于各部件的最小长度);(2)在第一区域(11)和线上配置第一液体的工序;(3)使向基板供给部件含有液的涂刷器以跨过线的方式从基板的上述一端侧向上述另一端侧相对于基板相对移动,由此使部件含有液与配置于第一区域的第一液体接触的工序;和(4)通过从基板上除去第一液体和第二液体,在各第一区域中配置各部件的工序。
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公开(公告)号:CN100580877C
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200780003085.7
申请日:2007-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中,首先,通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上,在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着,通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻,将半导体层(12)分割成多个小片。接着,通过除去牺牲层(11),将该小片从基板分离。
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公开(公告)号:CN1950933A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200580014055.7
申请日:2005-08-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 中川彻
IPC: H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L21/312
CPC classification number: H01L51/0036 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0055 , H01L51/052 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的场效应晶体管的制造方法包括:涂敷含有溶剂(13)、和溶解于溶剂(13)的第一及第二有机分子(11)及(12)的涂液(20)的工序;和通过除去涂敷后的涂液(20)中的溶剂(13),形成以第一有机分子(11)为主成分的第一层、和与第一层邻接且以第二有机分子(12)为主成分的第二层的工序。第一有机分子(11)是半导体材料或半导体材料的前体,第二有机分子(12)是绝缘体材料或绝缘体材料的前体。第一有机分子(11)和第二有机分子(12)相互没有相容性。
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公开(公告)号:CN1187194C
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN00105534.8
申请日:2000-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1606 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1645
Abstract: 一种墨水喷射头的制造方法,是将溶解了作为硅氧化物的前身的甲氧基硅烷或乙氧基硅烷化合物与含氟化碳链的乙氧基硅烷或甲氧基硅烷化合物的涂层液涂布在厚度20μm的SUS制基材表面。然后,在室温下干燥该基材1小时后,在200℃温度下烧成30分钟,形成在硅氧化物上含结合了氟烷基链的分子厚度为10nm-1000nm的防水性薄膜。然后从基材的里面一侧利用放电工形成喷嘴孔。
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公开(公告)号:CN1104475C
公开(公告)日:2003-04-02
申请号:CN97126413.9
申请日:1997-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/283 , B05D3/0486 , B82Y40/00
Abstract: 采用由至少一种硅烷系化合物和溶剂构成的溶液与基材通过硅烷系化合物形成硅氧烷键在基材上形成膜厚度为0.1纳米-1微米的分子膜。在表面上有活性氢的基材(2)的表面上涂覆含有例如氯硅烷系化合物的涂覆溶液,在基材表面的活性氢和上述硅烷系化合物的氯之间发生脱除氯化氢的反应,在基材表面上制备共价键硅烷系化合物的分子膜的方法,在保持低水蒸气浓度的气氛状态下的展开槽(11)内,送入上述基材,使用转印装置(6,7),在上述基材表面上涂覆含有硅烷系化合物和溶剂的涂覆溶液,在上述基材表面的活性氢和上述硅烷系化合物的氯之间进行脱除氯化氢的反应,之后在展开槽内或在外除去上述涂覆之后未反应的涂覆溶液。
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