公开(公告)号：CN1967872A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610135634.3

申请日：2006-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  内藤康志 ,  工藤千秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864

Abstract: 本发明提供一种具有被FUSI化了的栅电极的半导体装置，可以有效地形成应力膜，可以提高半导体装置的电气特性。半导体装置具备：形成于半导体基板(1)上的具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24A)的n型MIS晶体管(100A)、具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24B)的p型MIS晶体管(100B)。在半导体基板(1)上，以至少将完全硅化物栅电极(24B)覆盖的方式形成有作为使该半导体基板(1)的完全硅化物栅电极(24A)的下侧部分的沟道区域产生应力应变的应力膜的第二基底绝缘膜(17)。

公开(公告)号：CN1554015A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02802042.1

申请日：2002-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田聪 ,  平濑顺司 ,  杉山龙男 ,  金崎惠美 ,  川濑文俊 ,  内藤康志

IPC: G01J5/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01J5/0003

Abstract: 本发明的目的，在于：精确地测量出加热中的物体温度，并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底10的热处理工序中，在测量衬底10背面的辐射率ε时，衬底10表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜，例如成为插塞15A的第一DPS膜15、成为电容下部电极17A的第二DPS膜17及成为电容上部电极20A的第三DPS膜20；而在衬底10的背面上则未形成由DPS膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。