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公开(公告)号：CN102239609A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201080003068.5
申请日：2010-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7787 , H03B2200/0084
Abstract: 一种太赫兹波辐射元件，具备：第一氮化物半导体层，其形成在基板上；第二氮化物半导体层，其形成在第一氮化物半导体层上，且与第一氮化物半导体层相比带隙较大；和源极电极、栅极电极以及漏极电极，其形成在第二氮化物半导体层上。源极电极以及漏极电极各自由周期性地配置的多个源极电极指以及漏极电极指构成。
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公开(公告)号：CN1606203A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083600.5
申请日：2004-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/305 , B82Y20/00 , H01S5/3063 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为p型掺杂剂的镁(Mg)，边通过晶粒生长，在由GaAs构成的基板(10)上形成由AlGaInP构成的第一半导体层(11)，接着，在第一半导体层(11)上，以不添加镁的方式生长第二半导体层(12)。由此，第二半导体层可以防止由镁引起的不需要的掺杂(存储效应)。因此根据本发明的半导体制造方法制造的半导体，可以防止在III－V族化合物半导体的p型掺杂剂中使用镁(Mg)的时候的存储效应，从而可以使用控制性优良的p型掺杂剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1287684A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801765.5
申请日：1999-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C23C14/228 , C23C14/0036 , C23C14/357 , C23C14/564 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31604 , H01L21/31662 , H01L21/31691 , H01S5/028
Abstract: 利用电子回旋共振(ECR)等离子体法,让已被等离子体化的反应气体和遭到已被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶(23)的原子或者分子在试样(21)的表面起反应,而在试样(21)的表面上淀积薄膜(27),这时,先利用已被等离子体化的反应气体对固体靶(23)的表面进行清洗,再淀积出该薄膜(27)。
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公开(公告)号：CN100533883C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200410083600.5
申请日：2004-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/305 , B82Y20/00 , H01S5/3063 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为p型掺杂剂的镁(Mg)，边通过晶粒生长，在由GaAs构成的基板(10)上形成由AlGaInP构成的第一半导体层(11)，接着，在第一半导体层(11)上，以不添加镁的方式生长第二半导体层(12)。由此，第二半导体层可以防止由镁引起的不需要的掺杂(存储效应)。因此根据本发明的半导体制造方法制造的半导体，可以防止在III-V族化合物半导体的p型掺杂剂中使用镁(Mg)的时候的存储效应，从而可以使用控制性优良的p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN1123064C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN99801765.5
申请日：1999-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C23C14/228 , C23C14/0036 , C23C14/357 , C23C14/564 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31604 , H01L21/31662 , H01L21/31691 , H01S5/028
Abstract: 利用电子回旋共振(ECR)等离子体法，让已被等离子体化的反应气体和遭到已被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶(23)的原子或者分子在试样(21)的表面起反应，而在试样(21)的表面上淀积薄膜(27)，这时，先利用已被等离子体化的反应气体对固体靶(23)的表面进行清洗，再淀积出该薄膜(27)。
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公开(公告)号：CN103403984A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068429.9
申请日：2011-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 大西俊一
CPC classification number: H01L33/505 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01S5/1046 , H01S5/18386 , H01S5/18394 , H01S5/32341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 发光元件(10)具备如下:发光部(14)，其具有通过外加电压而发光的活性层(17);金属薄膜(11)，其配置在发光部(14)上的所述光的照射区域。在金属薄膜(11)上设有多个孔部(12)，该孔部拥有比所述光的波长小的直径，在各孔部(12)配置有至少一个荧光体(13)。
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公开(公告)号：CN1125519C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00106200.X
申请日：2000-05-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种半导体激光装置包括：第一导电型的半导体基片；基片上的第一导电型涂层；第一导电型涂层上的有源层，有源层具有超点阵结构，在激光腔端面附近有一无序化区；有源层上的第二导电型的第一涂层；第一涂层上的第二导电型的蚀刻停止层；蚀刻停止层上的第二导电型的第二涂层，第二涂层形成一凸脊结构，沿激光腔纵向伸展，具有预定宽度。蚀刻停止层中在激光腔端面附近的杂质浓度比激光腔内部的大，等于或小于约2×1018cm-3。
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