公开(公告)号：CN102668083B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080052831.3

申请日：2010-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

公开(公告)号：CN101689557B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980000361.3

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大竹悠介 ,  森三佳 ,  香山信三 ,  冲野彻

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/33

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/332

Abstract: 本发明公开了一种固态摄像装置。固态摄像装置包括半导体基板(22)、有规律地配置在半导体基板(22)上并且各自具有光电转换部(24)的多个像素(23)以及使多个像素(23)彼此电隔离的隔离部(25)。第一像素(31)具有在第一波长区具有透光率的峰值的第一彩色滤光片(41)和第一光电转换部(32)，与第一像素(31)相邻的第二像素(34)具有第二彩色滤光片(42)和第二光电转换部(35)，该第二彩色滤光片(42)在第一波长区和比第一波长区还靠近短波长一侧的第二波长区具有透光率的峰值，第一光电转换部(32)的深部的一部分(33)越过隔离部(25)，到达第二光电转换部(35)的下方。

公开(公告)号：CN100593241C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200610006244.6

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  内田干也 ,  藤原一夫 ,  山口琢己

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02164

Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。

公开(公告)号：CN1842916A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000820.X

申请日：2005-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  上田大助

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置，包括：形成在硅衬底上的摄像区域中的多个光电变换部、和填充在形成在硅衬底的光电变换部周围的至少一部分中的槽部即元件隔离槽中的填充层。填充层，由热膨胀系数超过氧化硅的热膨胀系数且小于等于硅的热膨胀系数的材料构成。

公开(公告)号：CN102282674B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200980154771.3

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 阵列状排列的像素部(10)具备光电变换部(11)、将电荷传输到浮动扩散层(12)的传输晶体管(13)、以及将传输的电荷输出到输出线的放大晶体管(14)，相邻的光电变换部(11)间、以及光电变换部(11)和放大晶体管(14)之间通过绝缘隔离部(22)进行隔离。绝缘隔离部(22)具有在光电变换部(11)间未配置有放大晶体管(14)的第1区域(A)、和在光电变换部(11)间配置有放大晶体管(14)的第2区域(B)，在绝缘隔离部(22)的下方，形成有第1隔离扩散层(23)和第2隔离扩散层(24)，在的第1区域(A)，第2隔离扩散层(24)的宽度比第1隔离扩散层(23)的宽度宽。

公开(公告)号：CN103329513A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006318.X

申请日：2012-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石井基范 ,  春日繁孝 ,  森三佳

IPC: H04N5/363 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/376 ,  H04N101/00

CPC classification number: H04N5/363 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明的固体摄像装置具备：多个像素（101），排列为2维状；多个像素共有电路（106），由相邻的一定数量的像素共有，按每该一定数量的像素配置1个，排列为矩阵状；列共有电路（120），按多个像素共有电路（106）的每列配置1个，由属于同一列的像素共有电路（106）共有；列信号线（113），按像素共有电路（106）的每列配置；以及复位信号线（114），按像素共有电路（106）的每列配置；多个像素各自的电信号由像素共有电路（106）检测，并经由列信号线（113）读出至列共有电路（120），由像素共有电路（106）检测到的电信号通过包括列信号线（113）、列共有电路（120）和复位信号线（114）的反馈路径而被复位。

公开(公告)号：CN101689557A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200980000361.3

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大竹悠介 ,  森三佳 ,  香山信三 ,  冲野彻

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/332

Abstract: 本发明公开了一种固态摄像装置。固态摄像装置包括半导体基板(22)、有规律地配置在半导体基板(22)上并且各自具有光电转换部(24)的多个像素(23)以及使多个像素(23)彼此电隔离的隔离部(25)。第一像素(31)具有在第一波长区具有透光率的峰值的第一彩色滤光片(41)和第一光电转换部(32)，与第一像素(31)相邻的第二像素(34)具有第二彩色滤光片(42)和第二光电转换部(35)，该第二彩色滤光片(42)在第一波长区和比第一波长区还靠近短波长一侧的第二波长区具有透光率的峰值，第一光电转换部(32)的深部的一部分(33)越过隔离部(25)，到达第二光电转换部(35)的下方。

公开(公告)号：CN100353751C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410002048.2

申请日：2004-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  春日繁孝 ,  森三佳

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N9/045

Abstract: 一种固体摄像装置，具备：摄像部，排列着对入射光进行光电转换的多个单位象素，形成色排列不同的多种象素行；存储器部，存储由上述摄像部中的至少一行象素获得的象素信号；输出信号线，存储在上述存储器部中的象素信号被读取到上述输出信号线中；输出部，输出上述输出信号线中的信号。在将由一行中不相邻的同一色的象素获得的象素信号连续地读取到上述输出信号线中之后，将由不相邻的其他同一色的象素获得的象素信号连续地读取到上述输出信号线中。可以连续地输出同一色的象素信号，不需要使色选择开关对每个象素信号都高速地动作。还可以抑制相邻信号的混色。

公开(公告)号：CN1806335A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200580000447.8

申请日：2005-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  山口琢己 ,  吉田真治

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明提供一种固体摄像器件及其制造方法，在本发明的固体摄像器件的制造方法中，在n型半导体衬底(1)之上，淀积由氧化膜构成的衬垫绝缘膜(2)和由氮化膜构成的耐氧化性膜(3)。接着，通过形成开口(4)，使半导体衬底(1)的元件隔离用区域露出来。接下来，在衬底上形成填埋开口(4)的耐氧化性膜(图中未示出)，通过进行各向异性干法刻蚀形成侧壁(5)。再以耐氧化性膜(3)和侧壁(5)为掩模形成沟槽(6)。接着，对半导体衬底(1)中的在沟槽6的侧面露出的部分注入p型杂质，在半导体衬底(1)中的沟槽(6)的表面部形成热氧化膜。之后，用埋入用膜(8)填埋沟槽(6)。

公开(公告)号：CN1574370A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045870.7

申请日：2004-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其目的在于：减少一个光电转换单元内的晶体管的个数及布线的条数而将单元尺寸微小化，且缩短检测所有的光电转换部分的电荷的时间。提供开、关用信号的读出脉冲线(34)由分别设置给相邻的一对行的光电二极管(PD)部分(1、2、5、6)的传送晶体管(15、16、19、20)共用，由此，将相邻的一对行的PD部分的电荷传送给不同的浮置扩散(FD)部分(9、10、12、13)，由对应于每一个FD部分而设的像素放大晶体管(25、26、27、28)检测所产生的电荷，同时还能在输出信号线(38、39、40、41)上得到一对行的像素信号。