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公开(公告)号：CN1319177C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN00814428.1
申请日：2000-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
Abstract: 在液晶显示装置用的大型衬底中，防止栅绝缘膜的微裂纹的产生，抑制衬底的翘曲。为此，使在玻璃衬底上配置的多个薄膜晶体管的栅绝缘膜的位于栅线层正下部的部分比其它部分厚1.5nm～4nm。
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公开(公告)号：CN1050221C
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN95119449.6
申请日：1995-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/04 , H01L29/78 , C30B28/00
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02686 , Y10S117/904 , Y10S148/09
Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。
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公开(公告)号：CN1224509A
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN98800511.5
申请日：1998-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/2011 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2310/027
Abstract: 本发明的目的在于通过从液晶显示器件的构成部件中削除驱动IC,降低成本,减少把驱动IC安装到阵列衬底上的工序,使得液晶显示器件的厚度减薄。在具有电阻分割型数/模变换电路,用信号放大器件把来自该数/模变换电路的模拟输出电压进行放大,使用该被放大了的模拟输出电压驱动液晶显示器件的有源矩阵型液晶显示器件的驱动电路中,其特征在于:在液晶显示器件的阵列衬底上的p－Si的n+层上形成电阻元件R的同时,在上述阵列衬底上形成开关元件Tr以及信号放大器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1618130A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827883.6
申请日：2002-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66757 , G02F1/13624 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有薄膜晶体管的半导体装置，该晶体管又具有在绝缘基板(100)上形成的多晶半导体薄膜(2)。该半导体装置，在半导体薄膜(100)内具有沟道区域(80)、分别位于沟道区域(80)两侧的源极区域(91)和漏极区域(92)。沟道区域(90)含有第一导电型的杂质和与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质二者，它由第一导电型和所述第二导电型抵消的第一层(2a)和第一导电型或第二导电型中任何一种占支配地位的第二层(2b)层叠构成，经绝缘膜(3)与第一层(2a)相对地形成栅极电极(4)。源极区域(91)和漏极区域(92)由与在第二层(2b)中占支配地位的导电型相反的导电型构成。采用这种结构，可降低断开电流，同时容易控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN1131340A
公开(公告)日：1996-09-18
申请号：CN95119449.6
申请日：1995-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/04 , H01L29/78 , C30B28/00
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02686 , Y10S117/904 , Y10S148/09
Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。
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公开(公告)号：CN1163781C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN98800511.5
申请日：1998-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/2011 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2310/027
Abstract: 本发明的目的在于通过从液晶显示器件的构成部件中削除驱动IC，降低成本，减少把驱动IC安装到阵列衬底上的工序，使得液晶显示器件的厚度减薄。在具有电阻分割型数/模变换电路，用信号放大器件把来自该数/模变换电路的模拟输出电压进行放大，使用该被放大了的模拟输出电压驱动液晶显示器件的有源矩阵型液晶显示器件的驱动电路中，其特征在于：在液晶显示器件的阵列衬底上的p-Si的n+层上形成电阻元件R的同时，在上述阵列衬底上形成开关元件Tr以及信号放大器件。
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公开(公告)号：CN1379914A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN00814428.1
申请日：2000-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
Abstract: 在液晶显示装置用的大型衬底中,防止栅绝缘膜的微裂纹的产生,抑制衬底的翘曲。为此,使在玻璃衬底上配置的多个薄膜晶体管的栅绝缘膜的位于栅线层正下部的部分比其它部分略厚。
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公开(公告)号：CN1375113A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN00812981.9
申请日：2000-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明的课题是,为了用于液晶显示装置等,在基板上排列形成了多个微小并且具有良好精度的LDD结构的薄膜晶体管。为此,以栅电极作为向半导体层注入杂质时的掩模。由于为LDD结构,故分两次注入杂质。在第1次和第2次注入杂质时,栅电极的尺寸对应于LDD长度而变化。作为改变用作杂质注入掩模的栅电极尺寸的方法,利用了金属氧化或干法刻蚀。为了对栅电极以高精度进行干法刻蚀,应在光致抗蚀剂方面下工夫。
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