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公开(公告)号：CN103227293B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310119691.2
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52 , H01L27/32 , G09G3/3291
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN103474456A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310338191.8
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/20 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/247 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。
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公开(公告)号：CN116234777A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180072821.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G51/00
Abstract: 提供一种劣化原因的缺陷少或其发展得到抑制的正极活性物质。本发明是一种用于二次电池的正极活性物质，正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，在对将正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，正极活性物质包括缺陷，缺陷的附近区域中至少包含与添加元素相同的元素。添加元素还包含在正极活性物质的表层部。
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公开(公告)号：CN102244202B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110184889.X
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN116157903A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180055621.8
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在氧化物上沉积第一绝缘体；在第一绝缘体上沉积导电体；在导电体上沉积第二绝缘体；通过进行加热处理，氧化物及第一绝缘体中的氢移动到第二绝缘体并被吸收。通过溅射法沉积第二绝缘体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448969B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510834526.4
申请日：2009-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/66 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN103474456B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310338191.8
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/20 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/247 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。
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公开(公告)号：CN102255053B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110184965.7
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN102945862A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210332037.5
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN101516145A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910008065.X
申请日：2009-02-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C09K11/7701 , C09K11/584 , C09K11/7716 , H05B33/14
Abstract: 本发明名称为无机EL蓝色发光体及其制造方法、以及发光装置。在无机EL蓝色发光体的制造中，至少混合硫化物发光体及稀土－铜氧硫属化合物(MCuOS：注意，M为稀土金属)，并在600℃以上且1000℃以下的温度下对所获得的混合物进行焙烧来可以在所述硫化物发光体中包含稀土－铜氧硫属化合物(MCuOS)。
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