公开(公告)号：CN1747167A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510098857.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。

公开(公告)号：CN100539116C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510082522.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN100559578C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200510098857.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。

公开(公告)号：CN101330045B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810145438.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN101330045A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810145438.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN1728375A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510082522.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN100373609C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410029741.9

申请日：2004-03-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 野口纯司 ,  大岛隆文 ,  三浦典子 ,  石川宪辅 ,  岩崎富生 ,  胜山清美 ,  斋藤达之 ,  田丸刚 ,  山口日出

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。

公开(公告)号：CN1536660A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410029741.9

申请日：2004-03-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 野口纯司 ,  大岛隆文 ,  三浦典子 ,  石川宪辅 ,  岩崎富生 ,  胜山清美 ,  斋藤达之 ,  田丸刚 ,  山口日出

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。