公开(公告)号：CN102149460B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980135309.9

申请日：2009-09-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 真弓聪 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇 ,  梅冈尚

IPC: B01J19/08 ,  B01D53/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B01D53/229 ,  B01D2257/2027 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/32137

Abstract: 在大气压等离子体处理中，抑制氟原料的回收率或回收浓度的波动，以保证处理的稳定性。通过分离部(4)的分离膜(41)将离开大气压等离子体处理部(2)到达废气管线(30)的废气分离成用于回收管线(50)的回收气体和用于释放管线(60)的释放气体。将回收气体用作处理气体的至少一部分。在分离时，根据处理气体的流率调整回收气体、释放气体和废气中的至少两种气体的与分离相关的物理量(优选压力)，使得氟原料的回收率或回收浓度中的一项或两项达到期望值。

公开(公告)号：CN102792783A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012770.2

申请日：2011-03-04

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 野上光秀 ,  中野良宪 ,  佐藤崇 ,  川崎真一 ,  屋良卓也

IPC: H05H1/24 ,  C23C14/56 ,  H01L21/3065 ,  G02B5/30

CPC classification number: H01J37/3277 ,  H01J37/32 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/485 ,  H05H2240/10

Abstract: 本发明提供一种不使处理槽的排气机构成为大型化而能够充分地抑制处理气体成分从处理槽向外部漏出的表面处理装置。利用搬运机构(20)对被处理物(9)以通过处理槽(30)的主室(31)内的处理区域(19)的方式沿着搬运方向搬运。在处理槽(30)且在主室(31)的至少搬出侧设置副室(33)。在对所述室进行分隔的分隔壁(37)及外壁(36)形成能够搬入搬出被处理物(9)的常开的开(37a、36a)。将主室排气机构(40)与主室(31)连接，使主室(31)的内压比槽外的压力低。将副室供气机构(52)与副室(33)连接进行供气，使副室(33)的内压比槽外的压力高。

公开(公告)号：CN102498550A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041037.9

申请日：2010-08-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  真弓聪 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32825 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻含硅膜的方法，其中有机膜的隆起或剥离得到防止。具体地，将基本上不含氢原子的蚀刻材料气体引入到处于近大气压下的等离子体生成空间(23)中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包含含硅膜(92)和有机膜(93)的待处理目标物(90)接触。含硅膜(92)可通过氧化氮(NOx)氧化。蚀刻材料气体含有7至80体积％的不含氢原子的氟组分，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。

公开(公告)号：CN102498550B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080041037.9

申请日：2010-08-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  真弓聪 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32825 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 在防止有机膜的升高和剥离的同时蚀刻含硅膜。将基本上不含氢原子的原料气引入到处于近大气压下的等离子体生成空间23中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包括含硅膜92和有机膜93的待处理目标物90接触。可以通过氧化氮(NOx)将含硅膜92氧化。原料气含有7至80体积％的不含氢原子的氟系原料，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。

公开(公告)号：CN102812073B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180015223.X

申请日：2011-03-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 佐藤崇 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  川崎真一

IPC: B29C59/14

CPC classification number: B29C59/14

Abstract: 本发明提供膜表面处理装置，在使含有反应成分的反应气体活化而对被处理膜进行表面处理时能够使反应成分充分反应，并防止在电极上附着污垢。在主处理部(10)的第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。通过辊电极(11、12)的旋转使被处理膜(9)从电极(11)向电极(12)输送。从喷嘴(23)向比电极(11、12)间的主放电空间(19)靠输送方向的上游侧的位置或放电空间(19)内的膜(19)上喷出反应气体。在比主处理部(10)靠输送方向的下游的位置设置再活化部(30)。优选，使再活化部(30)的后段电极(31)与第二辊电极(12)对置，将第二辊电极(12)兼用作再活化部(30)的另一方的后段电极。从气体供给部(33)向电极(31、12)之间供给不含有反应成分的放电生成气体。

公开(公告)号：CN102210014B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN200980145086.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 梅冈尚 ,  八木泽博史 ,  真弓聪 ,  佐藤崇 ,  功刀俊介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32752 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67069

Abstract: 为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物(9)由输送机(20)通过入口(13)输送到处理槽(10)的内部，并被定位处理空间(19)中。处理气体由供给系统(30)供给至处理空间(19)，并且对被处理物(9)进行表面处理。随后，通过出口(14)将被处理物(9)输送出。处理槽(10)内部的气体由排气系统(40)排出。气体的排出使处理槽(10)外面的气体通过开口(13，14)流入处理槽(10)的内部，使得流入气体的平均流速至少为0.1m/sec，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。

公开(公告)号：CN101816064B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880109735.0

申请日：2008-09-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。

公开(公告)号：CN102210014A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980145086.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 梅冈尚 ,  八木泽博史 ,  真弓聪 ,  佐藤崇 ,  功刀俊介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32752 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67069

Abstract: 为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物(9)由输送机(20)通过入口(13)输送到处理槽(10)的内部，并被定位处理空间(19)中。处理气体由供给系统(30)供给至处理空间(19)，并且对被处理物(9)进行表面处理。随后，通过出口(14)将被处理物(9)输送出。处理槽(10)内部的气体由排气系统(40)排出。气体的排出使处理槽(10)外面的气体通过开口(13，14)流入处理槽(10)的内部，使得流入气体的平均流速至少为0.1m/sec，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。

公开(公告)号：CN101352108A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049571.8

申请日：2006-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  积水化学工业株式会社

Inventor： 若崎环树 ,  佐藤崇 ,  田中惠一 ,  中嶋节男 ,  真弓聪 ,  中野良宪

IPC: H05H1/24 ,  B65G49/06 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/064 ,  B65G49/065 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  B65G2249/045 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下，在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置，此外，还提供利用该台装置作为电极台，能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部，配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上，销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出，通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4)，由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。

公开(公告)号：CN102791777A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012728.0

申请日：2011-02-28

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中野良宪 ,  野上光秀 ,  川崎真一 ,  佐藤崇 ,  松崎纯一

IPC: C08J7/00 ,  G02B1/12 ,  G02B5/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: B29D11/00634 ,  G02B5/3033 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/485

Abstract: 本发明提供一种膜表面处理装置，在将聚合性单体作为反应成分而对偏振板用保护膜等被处理膜进行等离子体处理时，能够防止电极等的污垢且提高粘接性等处理效果。在第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。使电极(11、12)旋转，从电极(11)向电极(12)输送被处理膜(9)。使反应气体喷嘴(31)沿着第一辊电极(11)的周向从电极(11、12)间的放电空间(14)向电极旋转方向的上游侧离开，且以与第一辊电极(11)对置的方式配置。优选在第一辊电极(11)上覆盖遮蔽构件(40)。从喷嘴(31)吹出含有聚合性单体的反应气体。在第一、第二辊电极(11、12)彼此之间的被处理膜(9)的折返部分(9a)的内侧配置有放电生成气体喷嘴(21)。从放电生成气体喷嘴(21)向放电空间(14)吹出不含有聚合性单体的放电生成气体。