公开(公告)号：CN102791777A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012728.0

申请日：2011-02-28

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中野良宪 ,  野上光秀 ,  川崎真一 ,  佐藤崇 ,  松崎纯一

IPC: C08J7/00 ,  G02B1/12 ,  G02B5/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: B29D11/00634 ,  G02B5/3033 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/485

Abstract: 本发明提供一种膜表面处理装置，在将聚合性单体作为反应成分而对偏振板用保护膜等被处理膜进行等离子体处理时，能够防止电极等的污垢且提高粘接性等处理效果。在第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。使电极(11、12)旋转，从电极(11)向电极(12)输送被处理膜(9)。使反应气体喷嘴(31)沿着第一辊电极(11)的周向从电极(11、12)间的放电空间(14)向电极旋转方向的上游侧离开，且以与第一辊电极(11)对置的方式配置。优选在第一辊电极(11)上覆盖遮蔽构件(40)。从喷嘴(31)吹出含有聚合性单体的反应气体。在第一、第二辊电极(11、12)彼此之间的被处理膜(9)的折返部分(9a)的内侧配置有放电生成气体喷嘴(21)。从放电生成气体喷嘴(21)向放电空间(14)吹出不含有聚合性单体的放电生成气体。

公开(公告)号：CN102257045A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151252.1

申请日：2009-12-22

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 屋良卓也 ,  松崎纯一 ,  川崎真一 ,  山本真矢 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  长谷川平

IPC: C08J7/18 ,  B32B27/16 ,  G02B5/30

CPC classification number: B32B27/16 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/308 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/42 ,  B32B2457/202 ,  C08J7/18 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14

Abstract: 本发明提供一种膜的表面处理方法及装置以及偏振片的制造方法。将与易粘接性树脂膜(12)粘接的难粘接性树脂膜(11)配置在接近大气压的处理空间(22)内。通过工艺气体供给系统(3)，将含有丙烯酸(聚合性单体)蒸气的工艺气体供给到处理空间(22)。在等离子体处理部(2)，将工艺气体等离子体化并使其与难粘接性树脂膜(11)接触。设定工艺气体的供给流量，以使处理空间(22)内的氧浓度达到3000ppm以下。由此，可以提高难粘接性树脂膜的粘接性，进而能够进行高速处理。

公开(公告)号：CN100479110C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN03817749.8

申请日：2003-06-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 江口勇司 ,  中岛节男 ,  伊藤巧 ,  川崎真一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H05H1/42

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的CVD法在基板(S)的表面形成氧化膜的装置，具备供给由TMOS、MTMOS等含硅气体构成的原料气体(A)、由O2、N2O等氧化性气体构成的反应气体(B)这样的2成分工艺气体的工艺气体供给源(3A)、(3B)、放电处理部(1)。通过对工艺气体(A)不进行放电处理，而在基板表面附近混合到用放电处理部1进行了放电处理的工艺气体(B)中，从而在常压下的CVD法中，用较快的成膜速度形成膜质、覆盖性良好的氧化膜。另外，如果混合进行了放电处理或未进行放电处理的H2O则更为理想。

公开(公告)号：CN100433263C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200480018059.8

申请日：2004-06-24

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 安西纯一郎 ,  中野良宪 ,  川崎真一 ,  中武纯夫 ,  真弓聪 ,  宫本荣司 ,  武内稔公

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

Abstract: 在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板(11，12)被并排地设置于等离子表面处理设备(M)的处理器(1)上。狭缝状的孔排(10a)形成于相邻的电极板之间，并且由并排设置的孔排(10a)组成孔排组(100)。该物体(W)通过移动机构(4)沿着每个狭缝(10a)的延伸方向移动。

公开(公告)号：CN102884223B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201180015135.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  佐藤崇

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明提供一种在反应气体的反应成分容易凝结的情况下也能够防止其在喷嘴的内部凝结且能够避免短路等不良情况的等离子处理装置。在等离子处理装置(1)的一对电极(11、12)之间形成放电空间(13)，向被处理物(9)照射等离子。喷嘴(20)配置在一对电极(11、12)的至少一方或放电空间(13)的附近。从喷嘴(20)向被处理物(9)喷出含有凝结性的反应成分的反应气体。通过喷嘴温度调节机构(30)对喷嘴(20)的温度进行调节。在喷嘴(20)内形成温度调节路(32)作为温度调节机构(30)，并使温度调节液流动。通过液温调节部(31)以成为比反应成分的凝结温度高的高温的方式对温度调节液进行调节。

公开(公告)号：CN102884223A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180015135.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  佐藤崇

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明提供一种在反应气体的反应成分容易凝结的情况下也能够防止其在喷嘴的内部凝结且能够避免短路等不良情况的等离子处理装置。在等离子处理装置(1)的一对电极(11、12)之间形成放电空间(13)，向被处理物(9)照射等离子。喷嘴(20)配置在一对电极(11、12)的至少一方或放电空间(13)的附近。从喷嘴(20)向被处理物(9)喷出含有凝结性的反应成分的反应气体。通过喷嘴温度调节机构(30)对喷嘴(20)的温度进行调节。在喷嘴(20)内形成温度调节路(32)作为温度调节机构(30)，并使温度调节液流动。通过液温调节部(31)以成为比反应成分的凝结温度高的高温的方式对温度调节液进行调节。

公开(公告)号：CN1735960A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380100254.0

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  中嵨节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。

公开(公告)号：CN102792783A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012770.2

申请日：2011-03-04

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 野上光秀 ,  中野良宪 ,  佐藤崇 ,  川崎真一 ,  屋良卓也

IPC: H05H1/24 ,  C23C14/56 ,  H01L21/3065 ,  G02B5/30

CPC classification number: H01J37/3277 ,  H01J37/32 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/485 ,  H05H2240/10

Abstract: 本发明提供一种不使处理槽的排气机构成为大型化而能够充分地抑制处理气体成分从处理槽向外部漏出的表面处理装置。利用搬运机构(20)对被处理物(9)以通过处理槽(30)的主室(31)内的处理区域(19)的方式沿着搬运方向搬运。在处理槽(30)且在主室(31)的至少搬出侧设置副室(33)。在对所述室进行分隔的分隔壁(37)及外壁(36)形成能够搬入搬出被处理物(9)的常开的开(37a、36a)。将主室排气机构(40)与主室(31)连接，使主室(31)的内压比槽外的压力低。将副室供气机构(52)与副室(33)连接进行供气，使副室(33)的内压比槽外的压力高。

公开(公告)号：CN102812073B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180015223.X

申请日：2011-03-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 佐藤崇 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  川崎真一

IPC: B29C59/14

CPC classification number: B29C59/14

Abstract: 本发明提供膜表面处理装置，在使含有反应成分的反应气体活化而对被处理膜进行表面处理时能够使反应成分充分反应，并防止在电极上附着污垢。在主处理部(10)的第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。通过辊电极(11、12)的旋转使被处理膜(9)从电极(11)向电极(12)输送。从喷嘴(23)向比电极(11、12)间的主放电空间(19)靠输送方向的上游侧的位置或放电空间(19)内的膜(19)上喷出反应气体。在比主处理部(10)靠输送方向的下游的位置设置再活化部(30)。优选，使再活化部(30)的后段电极(31)与第二辊电极(12)对置，将第二辊电极(12)兼用作再活化部(30)的另一方的后段电极。从气体供给部(33)向电极(31、12)之间供给不含有反应成分的放电生成气体。

公开(公告)号：CN100423194C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200380100254.0

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  中嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。