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公开(公告)号:CN102884637A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201180017320.2
申请日:2011-09-26
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0508 , H01L31/048 , H01L31/0512 , H01L31/0547 , Y02E10/52
Abstract: 本发明确保形成有凹凸部的接头线和太阳能电池单元的电极的导通性。本发明具备:多个太阳能电池单元(2),在双面形成有电极(11、13);接头线(3),串联连接多个太阳能电池单元(2),在一面具有在宽度方向上交替地形成遍及长尺寸方向连续的峰部(21a)和谷部(21b)而构成的凹凸部(21);以及粘接膜(15),介于太阳能电池单元(2)的电极(11、13)与接头线(3)之间,连接太阳能电池单元(2)和接头线(3)。太阳能电池单元(2)在连接部形成有流入粘接膜(15)的粘合剂成分的流入部(16),该连接部连接设置有凹凸部(21)的一面。
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公开(公告)号:CN102047401B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200980120231.3
申请日:2009-03-31
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
Inventor: 须贺保博
CPC classification number: H05K3/323 , C08K3/36 , C08K9/04 , C09J163/00 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H05K2201/0209 , H05K2201/0221 , H01L2924/00 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 在使用含有非导电性填料的粘结膜向布线基板上倒装芯片封装半导体芯片时,即使在不能从两者之间完全排除填料和粘结剂组合物的情况下,也能确保确实的导通的粘结膜包含含有环氧化合物、固化剂和填料的粘结剂组合物。相对于环氧化合物、固化剂和填料的总量,填料的含量为10~70质量%。填料含有平均粒径为0.5~1.0μm的第1非导电性无机颗粒和对平均粒径为0.5~1.0μm的第2非导电性无机颗粒进行无电镀处理而使平均粒径不超过1.5μm而获得的导电性颗粒,填料的10~60质量%为该导电性颗粒。
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公开(公告)号:CN102834928A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201180019947.1
申请日:2011-04-19
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0512 , H01L31/0504 , Y02E10/50
Abstract: 本发明通过利用低压来加热按压而防止太阳能电池单元的破损并同时尤其是提高设在太阳能电池单元的背面的Al背面电极与导电性粘接膜的粘接性。本发明包括:多个硅单元基板(2),在受光面侧设有表面电极(11),并且,在受光面的相反侧的背面设有Al背面电极(13);接头线(3),将一个硅单元基板(2)的表面电极(11)和与一个硅单元基板(2)邻接的另一个硅单元基板(2)的Al背面电极(13)连接;以及导电性粘接剂层(20),将表面电极(11)和Al背面电极(13)与接头线(3)连接,其中,在Al背面电极(13),在与接头线(3)的连接部(30)形成有开口部(31)。
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公开(公告)号:CN101983419B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN200880128463.9
申请日:2008-10-30
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的特征在于:对隔着热硬化型粘接膜(2)暂时固定在电路基板(1)上的半导体芯片(3)配置具有剥离膜(4)和在其上层叠的层厚为该半导体芯片(3)厚度的0.5~2倍的热硬化型密封树脂层(5)的密封树脂膜(6),使得该热硬化型密封树脂层(5)面向半导体芯片(3),一边从剥离膜(4)侧用橡胶硬度为5~100的橡胶压头(7)进行按压,一边从电路基板(1)侧进行加热,由此,将半导体芯片(3)粘接固定在电路基板(1)上,同时,将半导体芯片(3)树脂密封后,将剥离膜(4)剥离。
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公开(公告)号:CN102334182A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN201080009458.3
申请日:2010-02-23
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
CPC classification number: H01L24/92 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/1134 , H01L2224/13017 , H01L2224/13144 , H01L2224/14135 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1623 , H01L2224/16238 , H01L2224/27334 , H01L2224/29007 , H01L2224/2919 , H01L2224/32012 , H01L2224/32225 , H01L2224/3224 , H01L2224/73103 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/364 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种使用绝缘性树脂粘接薄膜(NCF)将半导体芯片倒装片安装在基板上的半导体装置的制造方法,其中,在热压时,防止NCF的溢出并防止凸起和电极焊盘之间插入绝缘性树脂或无机填料,所得到的半导体装置表现出充分的耐吸湿回流性的制造方法。具体地说,将具有相当于半导体芯片的外围配置的多个凸起所包围的区域的面积的60~100%的大小以及2×102~1×105Pa·s的最低熔融粘度的NCF暂时粘贴在与凸起对应的基板的多个电极所包围的区域。然后,以该凸起和与其对应的电极对置的方式将半导体芯片和基板对位,从半导体芯片侧进行热压。由此,使凸起和电极进行金属键合,使NCF熔融进而热硬化。由此,得到半导体装置。
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公开(公告)号:CN102047401A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980120231.3
申请日:2009-03-31
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
Inventor: 须贺保博
CPC classification number: H05K3/323 , C08K3/36 , C08K9/04 , C09J163/00 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H05K2201/0209 , H05K2201/0221 , H01L2924/00 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 在使用含有非导电性填料的粘结膜向布线基板上倒装芯片封装半导体芯片时,即使在不能从两者之间完全排除填料和粘结剂组合物的情况下,也能确保确实的导通的粘结膜包含含有环氧化合物、固化剂和填料的粘结剂组合物。相对于环氧化合物、固化剂和填料的总量,填料的含量为10~70质量%。填料含有平均粒径为0.5~1.0μm的第1非导电性无机颗粒和对平均粒径为0.5~1.0μm的第2非导电性无机颗粒进行无电镀处理而使平均粒径不超过1.5μm而获得的导电性颗粒,填料的10~60质量%为该导电性颗粒。
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公开(公告)号:CN101983419A
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN200880128463.9
申请日:2008-10-30
Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的特征在于:对隔着热硬化型粘接膜(2)暂时固定在电路基板(1)上的半导体芯片(3)配置具有剥离膜(4)和在其上层叠的层厚为该半导体芯片(3)厚度的0.5~2倍的热硬化型密封树脂层(5)的密封树脂膜(6),使得该热硬化型密封树脂层(5)面向半导体芯片(3),一边从剥离膜(4)侧用橡胶硬度为5~100的橡胶压头(7)进行按压,一边从电路基板(1)侧进行加热,由此,将半导体芯片(3)粘接固定在电路基板(1)上,同时,将半导体芯片(3)树脂密封后,将剥离膜(4)剥离。
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