公开(公告)号：CN103650476B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201280034172.X

申请日：2012-05-14

Applicant: 德普伊辛迪斯制品公司

Inventor： 洛朗·布朗卡尔

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: A61B1/051 ,  A61B1/00009 ,  A61B1/0676 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/124 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/381 ,  H04N5/2256 ,  H04N5/3742 ,  H04N5/37455 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N2005/2255 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种混合成像传感器的实施例，其中，该混合成像传感器在堆叠的基板之间使用相关电路与最小化的纵向互连的放置的堆叠方案和其他特征来优化基板上的像素阵列区域。公开了最大化的像素阵列尺寸/裸片尺寸（区域最优化）实施例，并且还公开了最优化的成像传感器，该成像传感器为共用于数字成像行业的具体应用提供改进的图像质量、改进的功能和改进的形状因素。

公开(公告)号：CN105122957B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201480019731.9

申请日：2014-04-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 堺丈和

IPC: H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3494 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/0776 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/124 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种焊料电路基板的制造方法，其特征在于，依次进行以下工序：抗蚀剂形成工序，该工序由抗蚀剂部分地覆盖印刷布线板上的导电性电路电极表面；粘着部形成工序，该工序对所述导电性电路电极表面之中没有被抗蚀剂覆盖的部分赋予粘着性而形成粘着部；焊料附着工序，该工序使焊料粉末附着在所述粘着部；抗蚀剂除去工序，该工序除去所述抗蚀剂；和第1加热工序，该工序加热所述印刷布线板而使焊料粉末熔融。

公开(公告)号：CN104471680B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201380038241.9

申请日：2013-07-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 欧文·R·费伊 ,  卢克·G·英格兰德 ,  克里斯托弗·J·甘比

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11

Abstract: 制作用于半导体裸片的互连结构的方法包括形成导电元件，所述导电元件沿所述导电元件的全柱体直径接触活性表面上的结合垫，接着将包括光致抗蚀剂的光可界定材料施加到所述活性表面和所述导电元件上方。使聚酰亚胺材料选择性地暴露及显影以移除覆盖所述导电元件的至少项部的光可界定材料。还揭示半导体裸片及半导体裸片组合件。

公开(公告)号：CN102820275B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201210184230.9

申请日：2012-06-05

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： 维贾伊·乌拉尔 ,  阿尔卡迪·V·萨莫伊洛夫

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本申请案涉及一种晶片级封装装置。所述晶片级封装装置的两个邻近附接凸块之间的最小距离小于所述两个邻近附接凸块之间的间距的约百分之二十五(25％)。两个邻近附接凸块之间的最小距离允许增加每面积的附接凸块的数目而不缩减凸块的大小，这增加了焊接可靠性。增加的焊接可靠性可缩减对附接凸块的应力，尤其是由在热循环试验期间的CTE失配、在跌落试验或循环弯曲试验期间的动态变形等等引起的应力。

公开(公告)号：CN103632985B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310368205.0

申请日：2013-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约翰·加特鲍尔 ,  约尔格·布施 ,  伯恩哈德·韦德甘斯

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/498 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/0212 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03821 ,  H01L2224/03822 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48135 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/4869 ,  H01L2224/48693 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/4889 ,  H01L2224/48893 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明提供了制造裸片的金属垫片结构的方法、裸片配置和芯片配置。一种用来制造裸片的金属垫片结构的方法，所述方法包括：在裸片的封装材料之间形成金属垫片，其中，所述金属垫片和所述封装材料被间隙彼此分隔开；以及在间隙中形成额外的材料以使间隙的至少一部分变窄。

公开(公告)号：CN103635999B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280029271.9

申请日：2012-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下裕贵 ,  油井隆 ,  川端毅 ,  萩原清己 ,  横山贤司

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3312 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体装置，在具有电极(20a)以及(20b)的芯片(6)的外缘设置扩展部(1)而成的扩展型半导体芯片(31)上，搭载具有电极(24)的芯片(5)。电极(20a)和电极(24)通过导电构件(8)而电连接。从芯片(6)上的导电构件(8)的配置区域的外侧遍及到扩展部(，1)上而形成有重新布线构造(2)。在扩展部(1)上形成有经由重新布线构造(2)与电极(20b)电连接的连接端子(21)。

公开(公告)号：CN103890940B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201180074420.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·J·李 ,  M·T·博尔 ,  A·W·杨 ,  C·M·佩尔托 ,  H·科塔里 ,  S·V·萨蒂拉朱 ,  H-S·马

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN106062118A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580013038.5

申请日：2015-02-03

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 稻濑圭亮

IPC: C09J201/00 ,  C09J4/00 ,  C09J5/00 ,  C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01B1/20

CPC classification number: C09J11/06 ,  C08K5/005 ,  C09J5/00 ,  C09J9/02 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  G02F1/13452 ,  G02F2202/28 ,  H01B1/22 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/07001 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07802

Abstract: 通过使用光固化型粘接剂，可在低温下进行电子部件的连接，同时改善电子部件的连接不良。具有在剥离基体材料上支撑的粘合剂树脂层，粘合剂树脂层含有光聚合性化合物、光聚合引发剂、光吸收剂和导电性粒子，光吸收剂的光吸收峰值波长比光聚合引发剂的光吸收峰值波长长，且相隔20nm以上。

公开(公告)号：CN106057684A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510962346.4

申请日：2015-12-21

Applicant: NEPES株式会社

Inventor： 李俊奎 ,  权容台

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L21/31133 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24175 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/73277 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1441 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/82 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/56 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/4952 ,  H01L21/4821

Abstract: 本发明涉及一种系统级封装及其制造方法，所述系统级封装包括：第一半导体管芯，其包括多个键合焊盘；引线框架，配置在所述第一半导体管芯的周围，且包括多个信号引线；第二半导体管芯，配置在所述第一半导体管芯的上部，且与所述引线框架引线键合；以及扇出型金属图案，配置在所述第一半导体管芯和所述引线框架的下部，将所述键合焊盘和所述信号引线电连接，且包括多个金属焊盘。

公开(公告)号：CN103377955B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210365144.8

申请日：2012-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李明机 ,  刘重希 ,  陈孟泽 ,  林威宏 ,  郑明达

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: 所述的形成叠层封装件(PoP)结构的机构的实施例包括将具有非焊料金属球的连接件接合至封装衬底。非焊料金属球可以包括焊料涂覆层。具有非焊料金属球的连接件可以基本上保持连接件的形状并且控制上封装件和下封装件之间的接合结构的高度。具有非焊料金属球的连接件不太可能导致连接件之间的桥接或者接合连接件的断路(虚焊)。结果，具有非焊料金属球的连接件的间距可保持很小。本发明还包括叠层封装件结构的形成方法。