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公开(公告)号：CN101335299B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810131752.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 松本拓治
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/45 , H01L29/66431 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7835 , H01L29/7843
Abstract: 本发明提供半导体装置，其包括设置在半导体基板上的栅电极和设置在栅电极两侧上的源/漏区域，该源/漏区域通过注入杂质形成。该源/漏区域包括外延层和扩散层，该外延层通过在栅电极侧部上的凹入位置中外延生长晶格常数不同于半导体基板材料的晶格常数的半导体材料形成，而该扩散层设置在半导体基板的表面层中。
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公开(公告)号：CN101640209A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910161720.5
申请日：2009-07-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/8249 , H01L21/71 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。
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公开(公告)号：CN101740590B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910208383.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。
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公开(公告)号：CN101640210B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910162578.6
申请日：2009-08-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/822 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L29/51 , H01L29/518 , H04N5/335 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。
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公开(公告)号：CN101556964B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910117896.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101640209B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910161720.5
申请日：2009-07-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。
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公开(公告)号：CN101556964A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910117896.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/762 , H04N5/335
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。
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公开(公告)号：CN101740590A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208383.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。
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公开(公告)号：CN101640210A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910162578.6
申请日：2009-08-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/822 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L29/51 , H01L29/518 , H04N5/335 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。
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公开(公告)号：CN101335299A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810131752.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 松本拓治
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/45 , H01L29/66431 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7835 , H01L29/7843
Abstract: 本发明提供半导体装置，其包括设置在半导体基板上的栅电极和设置在栅电极两侧上的源/漏区域，该源/漏区域通过注入杂质形成。该源/漏区域包括外延层和扩散层，该外延层通过在栅电极侧部上的凹入位置中外延生长晶格常数不同于半导体基板材料的晶格常数的半导体材料形成，而该扩散层设置在半导体基板的表面层中。
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