公开(公告)号：CN1341954A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法,能提高结晶度,以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜,其间具有保护膜,然后,作为第一热处理,短波能量束照射非晶膜,从而形成由准单晶制成的晶体膜,接着,为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶,用另外的能量束照射晶体膜,作为第二热处理,结果,可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN1225029C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01807883.4

申请日：2001-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田暁夫 ,  碓井节夫 ,  野本和正

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 一种光能转换装置10，包含：形成在通用塑料衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。

公开(公告)号：CN1150631C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97121208.2

申请日：1997-10-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 乔纳森·韦斯特沃特 ,  德哈拉姆·帕尔·高塞恩 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/005 ,  B82Y15/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/06 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/874 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/879

Abstract: 制造量子线的方法，包括以下步骤：在衬底上形成具有开口的掩模；将生长线期间成为催化剂的金属蒸发到其上形成掩模的衬底上；并且在含有形成线的材料气的气氛中加热蒸发金属于其上的衬底，在衬底的开口中生长线，其中衬底作为在掩模开口中生长线的核，其特征在于由在衬底的表面上形成多个凹槽，和选择性地刻蚀凹槽的侧壁在多个凹槽的相邻的凹槽之间形成突起的步骤形成核。根据本发明的方法，可以高精度地生长线。

公开(公告)号：CN1327262A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01124308.2

申请日：2001-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： G·达拉姆 ,  帕尔 ,  野本和正 ,  町田晓夫 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12

Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后,通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区,源区和漏区。然后,形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层,通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说,对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷,同时不会对衬底造成热损坏。

公开(公告)号：CN1157765C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法，能提高结晶度，以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜，其间具有保护膜。然后，作为第一热处理，短波能量束照射非晶膜，从而形成由准单晶制成的晶体膜。接着，为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶，用另外的能量束照射晶体膜，作为第二热处理。结果，可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN1157764C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN00802961.X

申请日：2000-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  德哈拉姆·P·侯赛因 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种无裂缝并且具有优异功能特性的功能器件及其制造方法。在有机材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的衬底(11)上，按照以下顺序形成低温软化层(12)和耐热层(13)，在其上形成多晶硅的功能层(14)。通过激光束照射使作为前体层的非晶硅层晶化，形成功能层(14)。当施加激光束时，热量传导到衬底(11)，衬底(11)发生膨胀。但是，因衬底(11)和功能层(14)之间的热膨胀系数差引起的应力被低温软化层(12)吸收，以致功能层(14)不产生裂缝和剥离。低温软化层(12)最好由含有丙烯酸树脂的聚合物材料制成。通过在衬底(11)和功能层(14)之间适当地插入金属层和耐热层，能够照射更高强度的激光束。

公开(公告)号：CN1337063A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802961.X

申请日：2000-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  德哈拉姆·P·侯赛因 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种无裂缝并且具有优异功能特性的功能器件及其制造方法。在有机材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的衬底(11)上,按照以下顺序形成低温软化层(12)和耐热层(13),在其上形成多晶硅的功能层(14)。通过激光束照射使作为前体层的非晶硅层晶化,形成功能层(14)。当施加激光束时,热量传导到衬底(11),衬底(11)发生膨胀。但是,因衬底(11)和功能层(14)之间的热膨胀系数差引起的应力被低温软化层(12)吸收,以致功能层(14)不产生裂缝和剥离。低温软化层(12)最好由含有丙烯酸树脂的聚合物材料制成。通过在衬底(11)和功能层(14)之间适当地插入金属层和耐热层,能够照射更高强度的激光束。

公开(公告)号：CN1181635A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97121208.2

申请日：1997-10-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 乔纳森·韦斯特沃特 ,  德哈拉姆·帕尔·高塞恩 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/005 ,  B82Y15/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/06 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/874 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/879

Abstract: 加热硅衬底时,厚度为0.6nm的金蒸发于其上,因此在衬底表面形成熔融的合金液滴。然后,在小于0.5Torr的硅烷气体气氛中将硅衬底加热到450℃—650℃。因此,发生由熔融的合金液滴做催化剂的硅烷气体的分解反应,因而硅线生长在衬底表面。接下来,除去硅线端部的熔融的合金液滴,并氧化硅线的表面部分。此后除去所得的表面氧化层。因此,得到减薄厚度为表面氧化层厚度的硅量子线。

公开(公告)号：CN1146059C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01124308.2

申请日：2001-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： G·达拉姆帕尔 ,  野本和正 ,  町田晓夫 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12

Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后，通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区，源区和漏区。然后，形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层，通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说，对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷，同时不会对衬底造成热损坏。

公开(公告)号：CN1422443A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807883.4

申请日：2001-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田暁夫 ,  碓井节夫 ,  野本和正

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 一种光能转换装置10，包含：形成在衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。