公开(公告)号：CN100338781C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN00128327.8

申请日：2000-11-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  达拉姆·帕尔·高塞恩 ,  野口隆 ,  堆井节夫

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/204 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种IV族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说，例如，在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以，在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上，能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。

公开(公告)号：CN1169225C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文 ,  达拉姆·派尔·古赛恩

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN100524633C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1309087C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1157765C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法，能提高结晶度，以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜，其间具有保护膜。然后，作为第一热处理，短波能量束照射非晶膜，从而形成由准单晶制成的晶体膜。接着，为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶，用另外的能量束照射晶体膜，作为第二热处理。结果，可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN1429382A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN01809414.7

申请日：2001-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野口隆 ,  碓井節夫 ,  中嵨英晴

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G02F1/136 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及平板显示器的制造方法，能以高可靠性制造像素区的TFT和扫描区的TFT，它包括以下步骤：在包含有像素区和驱动区的基片上形成非晶硅薄膜，通过激光束的照射从形成在驱动区的非晶硅薄膜中脱氢，而不照射形成在像素区的非晶硅薄膜，并且激光束的进一步照射，晶化形成在驱动区的非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜变成多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN1542976A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1341954A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法,能提高结晶度,以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜,其间具有保护膜,然后,作为第一热处理,短波能量束照射非晶膜,从而形成由准单晶制成的晶体膜,接着,为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶,用另外的能量束照射晶体膜,作为第二热处理,结果,可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN1298207A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN00128327.8

申请日：2000-11-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  达拉姆·帕尔·高塞恩 ,  野口隆 ,  堆井节夫

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/204 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种Ⅳ族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说,例如,在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以,在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上,能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。

公开(公告)号：CN1979769A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。