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公开(公告)号：CN101230489A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710180864.6
申请日：2003-02-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B29/403 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/406 , Y10T117/1052 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。
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公开(公告)号：CN100354458C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03806906.7
申请日：2003-02-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B29/403 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/406 , Y10T117/1052 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1799150A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015116.7
申请日：2004-10-22
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L33/105 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/007 , Y10T117/1064
Abstract: 本发明提供一种用于制造谐振腔发光器件的方法。该方法中，种子氮化镓晶体(14)和源材料(30)布置在含氮过热流体(44)中，所述含氮过热流体(44)设置在置于多区熔炉(50)中的密封容器(10)中。氮化镓材料生长在所述种子氮化镓晶体(14)上从而产生单晶氮化镓衬底(106、106′)。所述生长包括施加时间变化的温度梯度(100、100′、102、102′)在所述种子氮化镓晶体(14)和所述源材料(30)之间从而在至少一部分生长期间产生增大的生长速率。III族氮化物层的堆叠(112)沉积在所述单晶氮化镓衬底(106、106′)上，其包括第一镜子堆叠(116)和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件(108、150、160、170、180)的有源区(120)。
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公开(公告)号：CN1748290A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200380109711.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 一种器件，其包括至少一个设置在由氮化镓构成的单晶衬底上的外延半导体层，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm－2、并且基本上没有倾斜边界并且氧杂质水平低于1019cm－3。该电子装置可以是比如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)应用的发光应用形式，并且可以是这样的器件：GaN基晶体管、整流器、晶闸管和共射共基开关等。还提供了一种形成由氮化镓构成的单晶衬底的方法，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm－2、并且基本上没有倾斜边界以及氧杂质水平低于1019cm－3，以及同质外延形成至少一个在衬底上的半导体层以及电子器件。
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公开(公告)号：CN1280182C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02821830.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 马克·P·德伊夫林 , 戴维·C·彭德 , 休尔什·S·瓦高拉里 , 朴东实
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/0665 , B01J2203/0685
Abstract: 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49%-55%，表观密度为约5.5-6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃-1300℃温度和约1-10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃-1800℃温度和约5-80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。
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公开(公告)号：CN1643187A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806906.7
申请日：2003-02-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B29/403 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/406 , Y10T117/1052 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。
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公开(公告)号：CN1582256A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02821830.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 马克·P·德伊夫林 , 戴维·C·彭德 , 休尔什·S·瓦高拉里 , 朴东实
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/0665 , B01J2203/0685
Abstract: 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49％－55％，表观密度为约5.5－6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃－1300℃温度和约1－10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃－1800℃温度和约5－80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。
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