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公开(公告)号：CN114137797A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010917348.2
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。
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公开(公告)号：CN114057157A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010779451.5
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统设计及加工技术领域，具体涉及一种在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件，包括以下步骤：在衬底硅的背面生长硬掩模；对衬底硅的背面进行图案化处理；在硬掩模上形成图案；在所述衬底硅的正面涂敷SU‑8胶进行保护；使用四甲基氢氧化胺腐蚀所述衬底硅的背面；去除所述衬底硅正面涂敷的SU‑8胶。使得衬底硅的正面电路在TMAH腐蚀过程中不受侵蚀，同时还可以保证在涂敷过程中衬底硅的正面电路不受损伤，能有效的保护MEMS器件，为MEMS的发展带来更广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113964026A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010714497.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的图案形成方法，包括：所述方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底的第一方向上依次形成平行的第一材质线条图案和平行的第二材质线条图案；沿第二方向分别对所述第一材质线条图案的多个位置和所述第二材质线条图案的多个位置进行刻蚀，以线型切断所述第一材质线条图案和所述第二材质线条图案，进而获得需要的微细图案，使得图案的均匀性获得提升，进而改善图案未打开、图案错位的不良。
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公开(公告)号：CN112713084A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011599547.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/28 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一光刻胶层、阻光层和第二光刻胶层；曝光所述第一光刻胶层，并显影所述第一光刻胶层和所述阻光层形成第一开口；曝光所述第一开口下方的所述第二光刻胶层，并显影所述第二光刻胶层形成位于所述第一开口下方的第二开口；填充所述第二开口和所述第一开口形成半导体结构。本发明提供的方法，用以解决现有的形成T型或其他重叠形状的半导体结构的工艺存在的适用性差的技术问题。提供了一种高适用性的半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN112327584A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011185746.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法，包括以下步骤：在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光；然后对晶圆进行显影；控制晶圆旋转，并对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化，避免冲水过程中，晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071685A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010702042.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
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公开(公告)号：CN111816556A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010495592.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成沟槽；使用原子层沉积工艺在沟槽表面形成栅极氧化层；在沟槽内填充栅电极层；其中，所述原子层沉积工艺使用的硅前躯体不含Cl元素。本申请利用比Cl的结合力弱的Br或I系列硅前驱体或使用低温下易分解的C和N系列的硅前驱体形成栅氧化层，由于Br或I系列硅前驱体内不含Cl且结合力较弱，可以轻易地被分解，此外，C和N系列的硅前驱体在低温下易分解，大大减少了栅氧化层内的杂质。改善了硅半导体衬底与栅极氧化界面堆积效应而引起栅氧化层的热化，解决了栅极氧化层漏电的问题。
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公开(公告)号：CN111739823A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010606025.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于光刻胶涂布技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布喷嘴及具有其的光刻胶涂布设备，该光刻胶涂布喷嘴包括喷嘴本体，喷嘴本体内设置有彼此隔开的有机溶剂管路和光刻胶管路，有机溶剂管路与有机溶剂罐连通，用于向待涂件上喷涂有机溶剂，光刻胶管路与光刻胶瓶连通，用于在有机溶剂喷涂至待涂件上后向待涂件上喷涂光刻胶。根据本申请的光刻胶涂布喷嘴，通过在喷嘴本体内集成有彼此隔开的有机溶剂管路和光刻胶管路，光刻胶涂布喷嘴首先通过有机溶剂管路向待涂件喷涂有机溶剂，然后在原地通过光刻胶管路向待涂件喷涂光刻胶，在喷涂过程中不需要移动光刻胶涂布喷嘴，以此减少光刻胶涂布喷嘴在移动过程中出现光刻胶液滴滴落在待涂件上的现象。
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公开(公告)号：CN114657540B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202011551936.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。
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公开(公告)号：CN112327584B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011185746.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法，包括以下步骤：在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光；然后对晶圆进行显影；控制晶圆旋转，并对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化，避免冲水过程中，晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
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