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公开(公告)号：CN107765508A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710723039.X
申请日：2017-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 稻月判臣
CPC classification number: G03F1/32 , C23C14/0036 , C23C14/0652 , C23C14/3464 , C23C14/505 , G03F1/60 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , G03F1/26 , G03F1/68
Abstract: 本发明涉及用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备。通过以下步骤制备包含透明衬底和在透明衬底上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯：通过使用含有稀有气体和氮气的溅射气体和包括至少两个硅靶的多个靶在衬底上沉积半色调相移膜，将具有不同值的电力施加至所述硅靶，进行反应性溅射，和沿衬底轴在水平方向旋转所述衬底。该半色调相移膜具有令人满意的光学性质的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN107037688A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610916600.1
申请日：2016-10-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/82
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/68778 , G03F1/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置以及基板清洗方法，所述基板清洗装置在进行清洗处理时，可以防止异物附着在基板上。为了解决上述课题，本发明提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置，具备：保持构件，其只保持基板的端面；旋转机构，其使该保持构件旋转；以及，喷嘴，其向所述基板的至少表面侧供给液体，所述基板通过该旋转机构而与所述保持构件一起旋转；所述基板清洗装置的特征在于，至少一个所述保持构件的表面具有导电性，该具有导电性的保持构件接地。
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公开(公告)号：CN106019808A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610195474.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 在包括透明基板和其上沉积并且相对于亚200nm光具有150-200°的相移的相移膜的相移掩模坯中，该相移膜由硅、氮和任选的氧构成的硅基材料组成，具有至多70nm的厚度，并且在该基板上沉积该相移膜的前后在该基板的表面的中央区域中提供至多0.2μm的翘曲变化。
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公开(公告)号：CN103324027B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN105319835A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510458035.4
申请日：2015-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105301890A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510415157.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 二元光掩模坯料在透明衬底上具有遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M和硅Si，或M、Si和N组成，并且具有3.0以上的光密度。所述遮光膜包括含M、Si和N的层，从而满足式B≤0.68×A+0.23，其中A是原子比M/Si且B是原子比N/Si，并且所述遮光膜具有47nm以下的厚度。所述二元光掩模坯料具有能够完全遮蔽曝光的光的薄遮光膜。
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公开(公告)号：CN103324024B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN102375326B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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公开(公告)号：CN102534502B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110455404.6
申请日：2011-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
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公开(公告)号：CN103324024A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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