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公开(公告)号：CN111029449A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN110364584A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910577036.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法，其结构从下至上包括：衬底、缓冲层、超短周期超晶格及金属电极；超短周期超晶格包括设置在超短周期超晶格的纳米孔阵，以及金属纳米颗粒；金属纳米颗粒注入在纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面，颗粒尺寸可调控；金属电极设置在超短周期超晶格上，形成肖特基接触。本发明通过在有序分布的纳米孔阵中形成金属纳米颗粒再在其上设置金属电极，避免了超短周期超晶格吸收层载流子隧穿能力较弱问题，又利用产生的局域表面等离激元效应，增强深紫外光的吸收，最终提高深紫外MSM探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN110165028A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910532879.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。
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公开(公告)号：CN108707875A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810541023.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。
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公开(公告)号：CN108535890A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III-VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108169518A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711406378.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀过程中针尖形貌变化的监测平台；而工作电路为电解池供电，同时采集针尖电压信号，反馈给计算机控制软件，并由电机驱动电路控制步进电机完成探针的给进和提拉动作；控制软件则控制可编程电源输出不同变化模式电流，并根据采集卡反馈的电压信号，在针尖拉断瞬间及时关断电源，触发步进电机提取针尖。基于实时控制、实时观测及反馈，实现动态腐蚀过程的可控操作，从而制备出所需的不同形貌STM用针尖。
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公开(公告)号：CN104532209B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510039073.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H2，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H2和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。
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公开(公告)号：CN104833450B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510288699.0
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 一种原位测试LED应力的拉曼测试系统及其测试方法，测试系统设有激光器、光路系统、长波通或带通滤波片、拉曼滤镜、显微镜、CCD；长波通或带通滤波片设在拉曼光路中的显微镜光路前端、显微镜光路后端、拉曼滤镜前端、拉曼滤镜后端或CCD前端等，并与波长远离LED发光光谱的激光器结合。测试方法：首先采用显微镜进行调节样品的位置，使样品处理聚焦状态；关闭显微镜的光源，打开激光器，激光器用来发射拉曼测试需要的激光光线，光路系统传输激光的输入和输出信号，反射光线经过拉曼滤镜进行信号处理和过滤，最终的信号被CCD所探测。提升拉曼信号的信噪比，实现不同电流注入条件下的LED应力的原位测试。
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公开(公告)号：CN104959626A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510385468.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法，涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中；将反应容器加热，第一阶段，将反应容器内溶液温度加热至80～120℃后，通入N2，恒温加热10～20min；第二阶段，当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时，反应温度为180～210℃；当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时，反应温度为140～170℃；当反应溶液的温度由80～120℃达到设定温度后，恒温加热30～60min，反应结束；待反应溶液冷却，加入正己烷溶液，超声，将溶液转移至离心管中离心，纳米线固体沉积在离心管底部，将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
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公开(公告)号：CN102820398B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210319019.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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