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公开(公告)号：CN108241250A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711429614.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/08 , G03F1/142 , G03F1/26 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F1/84 , G03F1/38 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自Cr的二次离子的强度。
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公开(公告)号：CN106502043A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791249.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN105425535A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510575362.8
申请日：2015-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/50
Abstract: 光掩模坯包括铬系材料膜作为遮光膜，其中该铬系材料膜具有至少0.050/nm的波长193nm下的每单位厚度的光学密度，并且该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有铬系材料的薄膜的光掩模坯，该铬系材料的薄膜在保持高的每单位膜厚度的光学密度的同时膜应力降低。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
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公开(公告)号：CN103229099B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
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公开(公告)号：CN104694901A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738665.2
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/0676 , C23C14/352 , G03F1/68 , H01J37/3417 , H01J37/3441 , H01J37/3447
Abstract: 本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101852983B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010158156.4
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 公开了一种用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法。通过下述步骤来检查衬底上有膜的光掩模坯：(A)测量具有待检查应力的膜的光掩模坯的表面形貌，(B)从所述光掩模坯去除所述膜以提供经处理的衬底，(C)测量去除所述膜之后经处理的衬底的表面形貌，以及(D)比较光掩模坯或中间体的表面形貌和经处理的衬底的表面形貌，由此评估膜中的应力。
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公开(公告)号：CN101950125B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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公开(公告)号：CN103229099A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
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公开(公告)号：CN103123441A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210543905.4
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN1955840B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610136330.9
申请日：2006-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种具有最基本结构的基座(11)，具有包括第一和第二透明石英部分(11a)以及夹在它们之间的不透明石英部分(11b)的三层结构。例如，不透明石英部分(11b)由“泡沫石英”制成。另外，考虑在衬底(10)上所形成的薄膜的组分或厚度以及在闪光照射期间关于照射光能量的各种条件等，将不透明石英部分(11b)对闪光的不透明度确定在基于不透明石英部分(11b)材料或厚度的适当范围内。叠置结构可以包括具有不同透明度的多个不透明石英层的叠置。
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