公开(公告)号：CN108573859A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810587698.X

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 藤井达也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明的基板处理方法包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。

公开(公告)号：CN105914167B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201610092133.5

申请日：2016-02-19

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 泽岛隼 ,  波多野章人 ,  小林健司 ,  西村优大 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。

公开(公告)号：CN105900218B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201480073028.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 中井仁司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

Abstract: 在基板处理装置(1)中，在腔室底部(256)设置有在周向上排列的多个大腔室排气口(281)。通过杯旋转机构(7)使杯部(4)旋转，杯排气口(461)有选择地与多个大腔室排气口(281)中某一个重叠。在杯排气口(461)与1个大腔室排气口(281)重叠的状态下，通过第一排气机构(95a)将杯部(4)内的气体向腔室(21)外排出。在杯排气口(461)与另一个大腔室排气口(281)重叠的状态下，通过第二排气机构(95b)将杯部(4)内的气体向腔室(21)外排出。在基板处理装置(1)中，通过杯旋转机构(7)使腔室(21)内的杯部(4)旋转，能够容易对从杯部(4)进行排气的排气机构进行切换。

公开(公告)号：CN105472857B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510632845.7

申请日：2015-09-29

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 羽田浩二 ,  山本悟史

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够提高等离子体离子密度的均匀性。等离子体处理装置具有：腔室，对象物保持部，在腔室内保持成为处理对象的对象物，匝数小于一匝的至少一个电感耦合型天线，高频电源，向至少一个电感耦合型天线供给高频电力，至少一个天线保持部，以使至少一个电感耦合型天线从腔室的一壁部向腔室内突出的方式，相对于一壁部分别保持至少一个电感耦合型天线；至少一个天线保持部分别以能够在与该电感耦合型天线的突出方向交叉的面内改变使至少一个电感耦合型天线中的对应的电感耦合型天线的两端部连接的线段的朝向的方式，在对应的电感耦合型天线的两端部保持对应的电感耦合型天线。

公开(公告)号：CN106475277A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610621232.8

申请日：2016-08-01

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 山越润一

IPC: B05C9/14 ,  B05C13/00 ,  B05D3/02

CPC classification number: B05C9/14 ,  B05C13/00 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/0254

Abstract: 根据本发明提供的涂敷装置和涂敷方法，在不改变搬运速度的情况下改变干燥时间来能够应对各种涂敷条件，以优异的运转率且以稳定的品质在基体材料上形成涂敷膜。本发明的涂覆装置包括：搬运部，其用于将长带状基体材料沿着该基体材料的长度方向搬运；涂敷部，其用于将涂敷膜涂敷于由搬运部搬运的基体材料；干燥部，其对由搬运部从涂敷部搬运而至的基体材料进行加热并使涂敷膜干燥；路径长度变更部，其用于改变基体材料在干燥部内的搬运路径的长度。

公开(公告)号：CN106469649A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610656585.1

申请日：2016-08-11

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种热处理方法以及热处理装置，无论基板的表面状态如何都能够以简单的结构测定基板的表面温度。从利用卤素灯的预备加热阶段至利用闪光灯照射闪光时，由辐射温度计测定半导体晶片的背面的温度，并求出在照射了闪光时半导体晶片的背面从预备加热温度上升的上升温度(ΔT)。由于半导体晶片的比热是既定值，上升温度(ΔT)与通过照射闪光对半导体晶片的表面施加的能量的大小成比例，因此，能够根据照射闪光时的半导体晶片的背面的上升温度(ΔT)来计算半导体晶片的表面到达温度。

公开(公告)号：CN106340474A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610528458.3

申请日：2016-07-06

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 谷村英昭 ,  松尾郁 ,  布施和彦 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/2253 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H05B3/0047 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种能够降低腔室内的污染的热处理装置以及热处理方法。在从卤素灯(HL)向在腔室(6)内被支座(74)保持的半导体晶片(W)的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯(FL)向该半导体晶片(W)的上表面照射闪光来进行闪光加热。通过加热器(22)加热从气体供给源外，通过流量调整阀(21)增加向腔室(6)内供给的处理气体的流量。通过向腔室(6)内大流量地供给高温的处理气体来形成其气流，能够将在加热处理时从半导体晶片(W)的膜扩散的污染物向腔室(6)外排出，从而降低腔室(6)内的污染。(85)供给的处理气体，然后向腔室(6)内供给。另

公开(公告)号：CN106206367A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610364710.1

申请日：2016-05-27

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 岩尾通矩 ,  村元僚

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种对基板进行处理的基板处理装置，其目的在于，在具有多个挡板的杯部中，抑制挡板间的气体的流动。在基板处理装置中，多个卡紧件以及多个卡合部配置在比基座支撑部向径向外方扩展的保持基座部的上表面上，多个卡合部位于多个卡紧件的径向外侧。大致圆环状的下部突出部在保持基座部的下方从基座支撑部向径向外方扩展。在杯部中，挡板移动机构使第一挡板在受液位置和待避位置之间在上下方向上移动，使接受来自基板的处理液的挡板在第一挡板和第二挡板之间切换。下部突出部在第一挡板位于待避位置的状态下，面对第一挡板顶盖部的内周缘。由此，能够抑制第一挡板和第二挡板之间的气体的流动。

公开(公告)号：CN106158605A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610319864.9

申请日：2016-05-13

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 布施和彦

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够防止基板的周缘部的相对的温度下降的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片照射闪光的多个闪光灯(FL)呈平面状排列。将多个闪光灯(FL)的排列分割成包含与成为处理对象的半导体晶片的中央部相向的区域的中央区(Z1)和位于中央区(Z1)的外侧的周缘区(Z2)这2个区。在闪光照射时，相比属于中央区(Z1)的闪光灯(FL)的发光时间，属于周缘区Z2的闪光灯FL的发光时间长。由此，向容易产生相对的温度下降的半导体晶片(W)的周缘部照射的闪光的光量比中央部多，能够防止在闪光加热时的半导体晶片的周缘部的相对的温度下降。

公开(公告)号：CN106024688A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610177290.6

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 小林和贵 ,  加藤洋

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 基板保持方法，用于使基板保持水平，包括：载置工序，将基板载置在基板搬运机构上；第一准备工序，在旋转底座的上表面周缘部的第一区域中，将沿周向配置的多个定位销变为关闭状态；第二准备工序，在旋转底座的上表面周缘部的与第一区域在周向上不重叠的第二区域中，将沿周向配置的多个把持用销变为打开状态；定位工序，在载置工序、第一准备工序及第二准备工序之后，通过使基板搬运机构移动并使基板的周缘部与多个定位销抵接，来对基板定位；基板把持工序，在定位工序之后，将多个把持用销变为关闭状态，由此，通过多个定位销和多个把持用销来保持基板；搬运机构退避工序，在基板把持工序之后，使基板搬运机构从旋转底座的上方退避。