公开(公告)号：CN111403614B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201911379866.7

申请日：2019-12-27

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 崔炯锺 ,  洪太良 ,  金捘演 ,  金进喜 ,  A·R·李

IPC: H10K50/12 ,  H10K59/12 ,  H10K85/60 ,  H10K101/10 ,  H10K101/40 ,  H10K101/30

Abstract: 本公开提供了一种有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。该有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于第一电极和第二电极之间的发光材料层，其中，p型基质的第一HOMO能级等于或低于n型基质的第二HOMO能级，并且n型基质的单线态能级与n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。

公开(公告)号：CN114945563A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080074935.8

申请日：2020-10-30

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑光柱 ,  河宗陈 ,  李锡宗 ,  刘贤英 ,  申银澈

IPC: C07D403/10 ,  C07D251/24 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置，具体涉及包含由化学式1表示的化合物，从而能够提高发光效率、热稳定性以及寿命特性的有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置。

公开(公告)号：CN114599646A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074938.1

申请日：2020-10-30

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑光柱 ,  河宗陈 ,  李锡宗 ,  刘贤英 ,  申银澈

IPC: C07D403/10 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置，具体涉及包含由化学式1表示的化合物，从而能够提高发光效率、热稳定性以及寿命特性的有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置。

公开(公告)号：CN109913220B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201811622060.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN113597556A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202080021456.X

申请日：2020-04-08

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 曹僮护 ,  刘成均

IPC: G01N30/96 ,  G01N30/34 ,  B01D15/36 ,  B01D15/16 ,  G01N30/64 ,  G01N30/88

Abstract: 本发明涉及电解液分析用离子交换色谱系统、电解液中锂盐定量分析方法及利用其的电解液的制备方法，根据本发明，能够提供一种电解液分析用离子交换色谱系统、电解液中锂盐定量分析方法及利用其的电解液的制备方法，其能够在不发生未分离或不受添加剂干扰的情况下对电解液成品内多种锂盐进行定量，从而大幅缩短调整前置时间(lead time)，并且能够省略中间检查步骤，从而大幅提高生产率，并且大幅改善生产量管理、分析信度和顾客满意度。

公开(公告)号：CN113164336A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076172.8

申请日：2019-11-19

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李正浩 ,  金锡主

IPC: A61K8/19 ,  A61K8/29 ,  A61K8/27 ,  A61Q17/04

Abstract: 公开了一种包含经聚羟基硬脂酸表面改性的氧化铈(CeO2)粒子的紫外线屏蔽剂组合物以及所述紫外线屏蔽剂组合物的制备方法。所述包含经聚羟基硬脂酸表面改性的氧化铈粒子的紫外线屏蔽剂组合物即便经过很长的时间也能够表现出优秀的分散稳定性。

公开(公告)号：CN113056255A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980076170.9

申请日：2019-11-19

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金锡主 ,  金海春 ,  李正浩

IPC: A61K8/19 ,  A61Q17/04

Abstract: 本发明公开了一种包含具有表面缺陷的氧化铈粒子的紫外线屏蔽剂组合物及所述紫外线屏蔽剂组合物的制备方法。所述包含具有表面缺陷的氧化铈粒子的紫外线屏蔽剂组合物能够具有优秀的杀菌能力，并具有高的紫外线防护指数(sun protection factor，SPF)及PA指数，即使经过很长时间，也不会发生分层，从而能够显示优秀的分散稳定性。

公开(公告)号：CN112442678A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010111806.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，更具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。本发明通过抑制副反应，适当降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN109913220A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201811622060.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN105273718B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201510415950.5

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。