公开(公告)号：CN115528152A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210738705.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  朴永焕 ,  申东澈 ,  崔濬熙 ,  金洛铉 ,  朴正勋 ,  李银圣 ,  韩周宪

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。

公开(公告)号：CN118299481A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311854676.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东澈 ,  金柱成 ,  朴永焕 ,  崔浚熙

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种氮化物基半导体发光器件和包括其的显示装置，该氮化物基半导体发光器件包括：第一半导体层，其中第一半导体层是氮化物基的并且具有第一导电类型；提供在第一半导体层上的发光层，其中发光层可以包括包含铟(In)的氮化物基半导体；提供在发光层上的第二半导体层，其中第二半导体层是氮化物基的并且具有第二导电类型；以及应变弛豫层，提供在第一半导体层和发光层之间，并且包括具有突起的AlGaN层，该突起的水平截面面积随着突起在从第二半导体层到第一半导体层的垂直方向上延伸而减小。

公开(公告)号：CN112993028B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202011107929.6

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁秀真 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴永焕 ,  朴俊赫 ,  申东澈 ,  吴在浚 ,  黄瑄珪 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。

公开(公告)号：CN117637945A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311105538.4

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍珠 ,  金柱成 ,  朴永焕 ,  申东澈

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本公开提供了多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法。一种配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光的多波长发光器件包括：基板；提供在基板上的第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二类型半导体层；以及提供在第二类型半导体层上的电极。有源层包括配置为发射第一波长的光的第一有源区、配置为发射第二波长的光的第二有源区以及配置为发射第三波长的光的第三有源区。

公开(公告)号：CN112687732A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010337504.8

申请日：2020-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴俊赫 ,  申东澈 ,  吴在浚 ,  丁秀真 ,  黄瑄珪 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。

公开(公告)号：CN103650175A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180071914.1

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈炫旭 ,  韩尚宪 ,  韩在雄 ,  申东澈 ,  金制远 ,  李东柱

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明涉及能够改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：n型半导体层，其上表面上有至少一个凹坑；形成在所述n型半导体层上的有源层，所述有源层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹进的顶表面；和形成在所述有源层上的p型半导体层，所述p型半导体层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述有源层的凹痕凹进的顶表面。