公开(公告)号：CN1702532A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073821.9

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金昌树 ,  姜泰旭 ,  郑仓龙 ,  吴栽荣 ,  朴商一 ,  徐诚模

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及一种具有双缓冲结构的TFT、一种制造该TFT的方法、一种具有该TFT的平板显示器和制造该显示器的方法。TFT包括：第一缓冲层，包含设置于衬底上的非晶硅；和第二缓冲层，设置于第一缓冲层上。TFT还包括：半导体层，设置于第二缓冲层上；和栅电极，设置于半导体层上。双缓冲结构对从衬底扩散的杂质提供更好的阻挡，且还作为黑底以减少不需要的反射，且是氢源以钝化其它层。

公开(公告)号：CN1423344A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02152426.2

申请日：2002-11-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  金昌树

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/265 ,  G02F1/136 ,  H01J9/02 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/5284 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5265 ,  H05B33/28

Abstract: 本发明公开了一种改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法。该方法包括在一个衬底上形成透明导电膜；以及将高能量源注入到该透明导电膜中,以改变透明导电膜的透射率。

公开(公告)号：CN100442569C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410046556.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  李宪贞 ,  金尚彻 ,  金昌树

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明公开了一种采用多层型像素电极的有机电致发光器件及其制造方法。该有机电致发光器件包括：衬底；位于该衬底上预定区域中的第一像素电极；以及位于该第一像素电极上且完全覆盖该第一像素电极的第二像素电极。于是，消除了因原电池现象导致的膜破损。

公开(公告)号：CN1708194A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510078873.5

申请日：2005-06-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑仓龙 ,  姜泰旭 ,  金昌树 ,  曹洧诚

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种电致发光(EL)显示器件和制造它的方法。该器件包括：一基板；多个置于基板上的像素电极；一置于像素电极上并具有露出每一像素电极预定部分的开口部分的像素限定层；和至少一个包括在像素限定层里和/或上的阻挡层。在该器件里，像素限定层包括至少一个阻挡层以便减少来自像素限定层的脱气量并防止由于脱气导致的发光部分老化。此外，像素限定层形成为具有足够小的厚度以便于使用激光感应热成像(LITI)工艺的后续处理。

公开(公告)号：CN1632677A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200510004102.1

申请日：2002-11-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  金昌树

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L51/5284 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5265 ,  H05B33/28

Abstract: 本发明公开了一种改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法。该方法包括在一个衬底上形成透明导电膜；以及将高能量源注入到该透明导电膜中，以改变透明导电膜的透射率。

公开(公告)号：CN1452252A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03108621.7

申请日：2003-04-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  申东缵 ,  金慧东 ,  金昌树

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。

公开(公告)号：CN1381898A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105822.9

申请日：2002-04-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金昌树 ,  李相沅

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种平板显示器及其制造方法。显示器至少包括第一至第四薄膜晶体管。方法包括:提供具有非显示区和显示区的衬底;在衬底上形成第一至第四薄膜晶体管的第一至第四半导体层;在衬底整个表面上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成第一至第四导电构图和像素电极;形成第一至第四栅电极和第五导电构图;在第一、三和四半导体层内离子注入第一导电类型的高密度杂质,形成第一导电类型的高密度源极和漏极区;将第一至第四栅电极用作蚀刻掩膜蚀刻第一至第四导电构图;形成光致抗蚀剂构图以暴露非显示区与第二半导体层对应的部分;第二半导体层内离子注入第二导电类型的高密度杂质以形成第二导电类型的高密度源极和漏极区。