-
公开(公告)号：CN117538989A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210923635.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于氮化硅结构的片上多模端面耦合器，包括：由下而上依次设置于锥形硅波导上的第一氧化硅覆盖层、第一锥形氮化硅波导、第二氧化硅覆盖层、第二锥形氮化硅波导和第三氧化硅覆盖层，其中：锥形硅波导用于实现波导中模式输入与耦合，三层氧化硅覆盖层的厚度各不相同，锥形硅波导的宽度较宽的端口输入波导中的模式，在波导逐渐变窄的过程中，波导中的模式逐渐耦合至氮化硅波导中；锥形氮化硅波导和氧化硅覆盖层共同实现模式的模斑放大。本发明将多层氮化硅结构运用到端面波导结构中，实现TE0、TE1、TM0、TM1模式的高效耦合。
-
公开(公告)号：CN114815048B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210229813.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
-
公开(公告)号：CN115542459A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211265859.6
申请日：2022-10-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
-
公开(公告)号：CN115326242A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211108859.5
申请日：2022-09-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司嘉兴供电公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 上海交通大学 , 中国电力科学研究院有限公司
Inventor： 江洪 , 张永 , 李丹煜 , 毛琳明 , 张勇 , 周啸宇 , 姜云土 , 葛黄徐 , 郭一凡 , 李响 , 曾东 , 张华杰 , 张昕 , 沈坚 , 陆丹 , 赵梦石 , 汉京善 , 罗林根 , 龚培林
Abstract: 本发明提供了一种输电线路状态监测传感器的在线性能评估与故障诊断方法，其包括步骤：采集传感器测得的测量值数据；对传感器测得的测量值数据进行预处理；将预处理后的前m个测量值数据输入神经网络，以得到下一时刻的传感器测量的预测值；计算预测值与与之对应的实际测量值的残差值；将残差值与设定的阈值进行比较，若残差值连续超过所述阈值的次数大于设定的正整数D时，则判断传感器产生了突变信号；若残差值未超过所述阈值，则对该实际测量值的重复不确定度进行计算，以评估数据可靠性。相应地，本发明还提供了一种输电线路状态监测传感器的在线性能评估与故障诊断系统以及计算机可读存储介质。
-
公开(公告)号：CN111726079A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010559723.0
申请日：2020-06-18
Applicant: 上海交通大学 , 丰郅(上海)新能源科技有限公司
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明提供了一种主动式光伏组串电弧故障检测方法及系统，包括：主动注入信号步骤：主动产生高频信号，在光伏组串侧主动输出高频信号；电流信号采集步骤：在光伏组串侧的直流母线上测量电流信号并记录，获取光伏组串侧直流母线上电流信号信息；电弧故障判断步骤：根据光伏组串侧直流母线上电流信号信息，进行小波变换处理，分析小波变换处理后信号特征，将小波变换处理后信号特征与输入高频信号比较，判断光伏组串是否发生电弧故障，获取主动式光伏组串电弧故障检测结果信息。本发明在光伏组串侧进行检测，从根本上解决了逆变器噪声、不同运行工况对检测的影响。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101302514A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810038829.5
申请日：2008-06-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及的是一种基因工程技术领域的小鼠Kif19A蛋白编码序列。本发明所分离出的或纯化的小鼠Kif19A基因序列以及其编码区序列，具有SEQ ID NO.1中核苷酸的序列，具有SEQ ID NO.2所示的氨基酸序列的多肽、或其保守性变异多肽、或其活性片段，或其活性衍生物。所述的SEQ ID NO.1中核苷酸的序列，该序列具有SEQ ID NO.3中的核苷酸序列能与SEQ ID NO.1杂交。所述的核苷酸序列与SEQ ID NO.3中的核苷酸序列有至少95％以上的同源性。本发明可用于改造生物不育种的应用中。雌性不育种的改造在畜牧业和饲养业中有着很大的作用，如用于人类，将对避孕药开发及不孕症治疗具有应用价值。
-
公开(公告)号：CN118642226A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410750648.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 上海交通大学 , 武汉恩睿捷光电技术有限公司
Abstract: 一种基于纳米压印的硅光亚波长光栅制备方法，采用电子束曝光、电感耦合反应离子刻蚀技术制成压印模板后，将经抗粘处理的压印模板进行纳米压印得到反相凹模，再在旋涂有压印胶的基底上采用反相凹模进行压印，经紫外固化、脱模和去残胶后得到与硅光亚波长光栅。本发明通过压印最小可以达到45nm的线宽的同时，有效避免压印脱模时脱胶，图像形貌受损情况，进而保证母版的图像全部转移到衬底。
-
公开(公告)号：CN118642223A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410754191.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 上海交通大学 , 武汉恩睿捷光电技术有限公司
Abstract: 一种氮化硅‑锆钛酸铅微环及其制造方法，包括：设置于二氧化硅层上的锆钛酸铅薄膜以及在锆钛酸铅薄膜上异质集成的氮化硅波导，该氮化硅波导为微环波导与耦合波导组成的微环谐振器。本发明在利用锆钛酸铅高电光系数的同时实现氮化硅波导的低损耗传输。
-
公开(公告)号：CN117930429A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211265865.1
申请日：2022-10-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅‑碳化硅结构混合波导及其制备方法，制备得到的波导由上而下依次包括：氧化硅包层、硅波导层、碳化硅层、氧化硅掩埋层和硅衬底，该混合波导核心为：硅波导层、氧化硅包层和用于传输TE模或TM模的碳化硅层。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性，通过离子切割和层转移技术制备，无需离子注入工艺，因此本发明的工艺与CMOS兼容。通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程中，碳化硅材料的优良特性可以克服传统硅的部分限制，并且与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较简单。
-
公开(公告)号：CN116859505A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210312543.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基二氧化铪的表面等离子波导，其特征在于，由上而下依次为金层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层。本发明利用了二氧化铪的优良的光电特性和材料特性，采用单层金波导可以有效地增强光场和电场的相互作用，由于金波导对光模场有很强的束缚作用，因此波导结构占地面积小，可以有效减小电阻电容，从而提升调制器带宽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.033 seconds)
