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公开(公告)号：CN115636557B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211436541.X
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F103/04 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明公开了一种纳米制程集成电路清洗水的制备方法，方法中，对一次纯水进行深除盐处理，一次纯水经第一混合光解吸收器降解总有机碳并脱除弱离子化杂质，随后通过第一真空膜脱气装置脱去氧气形成二次纯水；对二次纯水进行抛光处理，二次纯水经过催化型混合光解吸收器将痕量金属离子、弱离子化杂质和低分子有机物分别脱除至ppq级、ppt级和ppb级，同时将自由基复合氧化剂控制在亚ppb级。制备方法不仅提高了清洗水超低分子有机物的降解效率，将解离常数小于10‑9的弱离子化杂质降除至1 ng/l以下，而且可有效淬灭光解次生氧化剂，将其浓度在POD端控制在1μg/l以内。
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公开(公告)号：CN115572025B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211431870.5
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F103/04 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种深除盐水的处理系统与工艺，处理系统包括二次除盐装置、混合光解吸收器以及膜接触器，所述混合光解吸收器中，至少一个第一壳体为透明隔热的中空封闭结构；至少一个辐射光源设于中空封闭结构内以形成真空辐射腔；待提纯水自下支撑孔板进入第一反应腔且自第二壳体上部的流出孔流出以构成水流通道，水流通道至少部分地重叠于光解区以光催化氧化待提纯水形成第一处理水；来自密封腔的第一处理水依次在络合反应区去除硼硅以及在正电吸附区去除羧酸类小分子有机物形成深除盐水。本处理系统可有效降解超低分子有机物并深度去除弱离子化杂质，为半导体工厂洁净区超纯水循环系统提供高纯度的补给水。
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公开(公告)号：CN116702301B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310974734.9
申请日：2023-08-04
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司 , 世源科技工程有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成电路产线多级仿真布局的生成方法及装置，方法包括如下步骤：获取集成电路产线布局的需求设备，形成待布局设备清单；按照工艺区域、生产单元和设备的模块层级，对待布局设备清单中的待布局设备进行标签化处理，获得包含模块层级信息的集成电路产线布局数据清单；基于集成电路产线布局数据清单，结合多级布局策略，完成集成电路产线多级仿真布局。本发明结合智能多模块层级的方法，针对超大规模的集成电路生产线，实现快速、精准的产线布局。
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公开(公告)号：CN115626745B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211436535.4
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种先进芯片制造用清洗水的提纯装置与方法，提纯装置中，至少一个第一壳体为透明隔热的中空封闭结构；至少一个辐射光源设于中空封闭结构内以形成真空辐射腔；待提纯水自下支撑孔板进入第一反应腔且自第二壳体上部的流出孔流出以构成水流通道，水流通道至少部分地重叠于光解区以光催化氧化待提纯水形成第一处理水；来自密封腔的第一处理水依次在正电吸附区去除羧酸类小分子有机物和碳酸、催化反应区淬灭自由基复合氧化剂以及离子抛光区降除痕量金属、非金属离子、弱离子化无机盐、溶解性低分子有机物形成先进芯片制造用清洗水。本装置能够有效降解超低分子有机物、深度脱除痕量金属，并高效淬灭自由基复合氧化剂。
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公开(公告)号：CN115893769A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310028299.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F1/20 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/70 , C02F103/04 , C02F101/30 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种精处理回路提纯水的系统，该系统包括第一膜接触器、光解反应器、弱酸吸附塔、双层抛光塔和第二膜接触器。其中，第一膜接触器内置溶氢膜，用于制备富含氢气的超纯水。双层抛光塔为层叠结构，包括收容部、供给部和排出部，通过氢化反应，消除金属纳米粒子表面氧化层。该金属纳米粒子用于淬灭自由基复合氧化剂并脱除氧气，特别优选来自Ⅷ族或ⅠB族的二元金属复合纳米粒子，能够高效提升催化反应效率，显著提高单金属催化活性和选择性，同时表现出良好的循环性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115826548A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310152028.6
申请日：2023-02-22
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种动态模拟半导体生产系统废气处理的方法及装置，方法包括如下步骤：采集目标半导体生产工艺，以及半导体生产系统中的设备布局信息；确定生产目标半导体的目标机台组、目标机台和生产物流路径；获取第一生产节拍和第二生产节拍，结合目标半导体的生产物流路径，给出目标机台及目标机台组所产生的废气数据；获取目标机台组的废气处理信息和第三生产节拍，结合时间控制指令，给出针对半导体生产系统废气处理的动态模拟。将生产设备和腔体进程、生产节拍等参数囊括，实现了半导体生产系统废气处理动态模拟，为设备选型、管路设计、动能用量提供更精准的参考。
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公开(公告)号：CN115626745A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211436535.4
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种先进芯片制造用清洗水的提纯装置与方法，提纯装置中，至少一个第一壳体为透明隔热的中空封闭结构；至少一个辐射光源设于中空封闭结构内以形成真空辐射腔；待提纯水自下支撑孔板进入第一反应腔且自第二壳体上部的流出孔流出以构成水流通道，水流通道至少部分地重叠于光解区以光催化氧化待提纯水形成第一处理水；来自密封腔的第一处理水依次在正电吸附区去除羧酸类小分子有机物和碳酸、催化反应区淬灭自由基复合氧化剂以及离子抛光区降除痕量金属、非金属离子、弱离子化无机盐、溶解性低分子有机物形成先进芯片制造用清洗水。本装置能够有效降解超低分子有机物、深度脱除痕量金属，并高效淬灭自由基复合氧化剂。
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公开(公告)号：CN115572025A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211431870.5
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F103/04 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种深除盐水的处理系统与工艺，处理系统包括二次除盐装置、混合光解吸收器以及膜接触器，所述混合光解吸收器中，至少一个第一壳体为透明隔热的中空封闭结构；至少一个辐射光源设于中空封闭结构内以形成真空辐射腔；待提纯水自下支撑孔板进入第一反应腔且自第二壳体上部的流出孔流出以构成水流通道，水流通道至少部分地重叠于光解区以光催化氧化待提纯水形成第一处理水；来自密封腔的第一处理水依次在络合反应区去除硼硅以及在正电吸附区去除羧酸类小分子有机物形成深除盐水。本处理系统可有效降解超低分子有机物并深度去除弱离子化杂质，为半导体工厂洁净区超纯水循环系统提供高纯度的补给水。
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公开(公告)号：CN114462973A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210124555.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国电子工程设计院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种集成电路工厂项目投资生成方法及系统，通过预配置的产品库、制程库和设备库分项逐步计算项目整体投资，在已知项目预期产能的条件下，从产品类型和工艺制程出发，生成该项目所需的工艺设备配置清单、动力用量清单、建筑面积以及成本数据，最终形成一套更科学、更合理和更全面的集成电路工厂建设项目投资数据，此外，该投资数据也会更贴近集成电路实际工程，在工程设计阶段更准确的预估该项目的工程量。
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公开(公告)号：CN110539956A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910725149.9
申请日：2019-08-07
Applicant: 世源科技工程有限公司 , 中国电子工程设计院有限公司
Abstract: 本发明涉及平板显示器技术领域，公开了一种卡匣围护装置，该卡匣围护装置包括箱体，箱体的底部设有用于固定卡匣的支撑座，箱体在与卡匣的开口相对应的一侧设有用于打开或关闭箱体的门板；箱体上还设有风扇，且风扇与卡匣之间设有空气过滤器，当第一门板打开时，箱体上形成风扇的排风口，此时，风扇工作，风扇吸入外部空气，外部空气经过空气过滤器的过滤后吹向卡匣，并由排风口排出。上述实施例中，通过设置箱体将卡匣包覆并固定在内部，并在箱体上设置用于取放玻璃基板的门板，用于将外部空气吸入箱体内并从排风口排出的风扇，以及位于风扇与卡匣之间用于过滤空气的空气过滤器，使得该卡匣围护结构不仅具有防尘功能，还具有自净化功能。
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