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公开(公告)号：CN102598221A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049331.4
申请日：2010-10-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02068 , C11D1/002 , C11D1/004 , C11D1/04 , C11D1/40 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/0212 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/31127
Abstract: 本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
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公开(公告)号：CN108352314A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065817.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , B08B3/08 , B08B3/10 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/02 , C11D7/261 , C11D7/5018 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/6708
Abstract: 本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。
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公开(公告)号：CN107068540A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611162059.6
申请日：2011-12-20
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶片的清洗方法。[课题]提供在表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中用于改善容易诱发图案倾塌的清洗工序的清洗方法。[解决方法]所述清洗方法是表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序；用拒水性化学溶液(9)置换在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序；干燥晶片(1)的工序，上述清洗液(8)包含80质量％以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使上述置换的工序中供给的拒水性化学溶液(9)的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液(9)的沸点，从而至少使上述凹部表面拒水化。
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公开(公告)号：CN107068538A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611028598.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及保护膜形成用化学溶液。本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
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公开(公告)号：CN102934207B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180028305.8
申请日：2011-06-03
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/306 , G03F7/40
Abstract: 公开了一种用于在清洗表面具有微细凹凸图案（2）且该凹凸图案（2）的至少一部分含有硅元素的晶片（1）时在该凹凸图案（2）的至少凹部表面形成拒水性保护膜（10）的化学溶液。该化学溶液包含通式：R1aSi(H)bX4-a-b所示的硅化合物A和酸A，该酸A选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸己基二甲基硅酯、三氟甲磺酸己基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯、三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯、三氟乙酸癸基二甲基硅酯和三氟甲磺酸癸基二甲基硅酯组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN102971836A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032637.3
申请日：2011-06-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B08B3/04 , C07F7/10 , C07F7/12 , C07F7/1804
Abstract: [课题]本发明涉及在半导体器件制造中防止凹凸图案（2）的至少凹部表面含有含硅元素物质的晶片（1）或者该凹凸图案（2）的至少凹部表面的一部分含有选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽和钌组成的组中的至少1种物质的晶片（1)的图案倾塌同时对晶片进行清洗的方法，提供了能够进行有效清洗的拒水性保护膜形成剂和含该形成剂的拒水性保护膜形成用化学溶液以及使用了该化学溶液的晶片的清洗方法。[解决方法]用于在上述晶片的清洗中在前述晶片的至少凹部表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成剂，前述形成剂是下述通式[1]所示的硅化合物。R1aSiX4-a[1]
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公开(公告)号：CN102934207A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028305.8
申请日：2011-06-03
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/306 , G03F7/40
Abstract: 公开了一种用于在清洗表面具有微细凹凸图案（2）且该凹凸图案（2）的至少一部分含有硅元素的晶片（1）时在该凹凸图案（2）的至少凹部表面形成拒水性保护膜（10）的化学溶液。该化学溶液包含通式：R1aSi(H)bX4-a-b所示的硅化合物A和酸A，该酸A选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸己基二甲基硅酯、三氟甲磺酸己基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯、三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯、三氟乙酸癸基二甲基硅酯和三氟甲磺酸癸基二甲基硅酯组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN102325824A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008736.3
申请日：2010-02-18
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C08G69/42 , C07C57/58 , C07C57/76 , C07C59/64 , C07C69/65 , C07C69/734 , C08G63/682 , C08G73/06
CPC classification number: C07C59/64 , C07C69/65 , C07C69/734 , C08G63/6826 , C08G69/42 , C08G73/06 , C08G73/1039 , C08G73/22
Abstract: 本发明提供一种高分子化合物，其通过使通式(M-1)所示的含氟二羧酸衍生物或该含氟二羧酸的酸酐与具有2～4个能够对它们的羰基部位的反应性进行应答的反应性基团的多官能化合物缩聚而得到。AOCF2C-Q-CF2COA′(M-1)，式中，Q为具有可具有取代基的芳香环的二价有机基团，A、A’表示有机基团。该高分子具有如下特征：作为半导体的保护膜具有充分低的介电常数，并且，可在250℃以下这样比较低的温度下形成薄膜。
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