-
公开(公告)号：CN119318001A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044616.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于提供如下技术：在具有至少包含Si及O的膜及至少包含Si及N的膜的基板中，能够抑制至少包含Si及O的膜的蚀刻，同时至少对包含Si及N的膜进行蚀刻。本发明是如下蚀刻方法：对于具有至少包含Si及O的膜及至少包含Si及N的膜的基板，使其与(I)HF气体、和(II)选自由磺酰基化合物、羰基化合物、磺酰基异氰酸酯化合物、及异氰酸酯化合物组成的组中的至少一种化合物接触，从而对上述包含Si及N的膜进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN108028307A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056060.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社 , 东北泰克诺亚奇股份有限公司
CPC classification number: H01L35/26 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/039 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L29/06 , H01L29/0669 , H01L35/14 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
-
公开(公告)号：CN102741987B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180008023.1
申请日：2011-01-25
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/22 , C09K13/00
CPC classification number: H01L21/31055 , C09K13/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136
Abstract: 本发明的干蚀刻剂的特征在于，其包含由化学式CF3C≡CX（其中，X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。）表示的氟化丙炔和下述中的任一者：（B）选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体，（C）选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn（式中，Y表示Cl、Br或I。n表示整数，1≦n≦5。）组成的组中的至少一种气体，以及（D）选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体，所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果，且工艺窗口广，还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
-
公开(公告)号：CN104995720A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008977.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C11D7/04 , B08B7/0071 , C11D7/02 , C11D11/0041 , C23C16/325 , C23C16/4405 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的特征在于，在用于将堆积于基材的含有碳化硅的堆积物去除的清洁中，使用包含七氟化碘的清洁气体，所述基材包含至少一部分具有石墨结构的碳。通过使用上述清洁气体，可以不用蚀刻石墨地将碳化硅去除。
-
公开(公告)号：CN103718277A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037156.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003925A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034216.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/18 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
-
公开(公告)号：CN119404294A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047796.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C23F1/12 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的干式蚀刻方法是使形成于被处理体的表面的被蚀刻膜与β‑二酮和分子内包含卤素原子的气体接触而进行蚀刻，其中，所述被蚀刻膜包含：含有选自由In、Ga、Cu、Co、Fe、Sn、Zn、Al、Ta和As组成的组中的至少1种的金属、上述金属的氧化物或上述金属的氮化物。
-
公开(公告)号：CN117157735A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028362.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于，提供利用能够在无等离子体且低温下去除金属氮化物的气体组合物的表面处理方法。本发明的表面处理方法的特征在于，使β‑二酮及NO2与被处理体的表面接触。
-
公开(公告)号：CN108028307B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680056060.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社 , 东北泰克诺亚奇股份有限公司
Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.032 seconds)
