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公开(公告)号：CN115497826A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210677495.6
申请日：2022-06-15
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/324
Abstract: 一种氮化物半导体器件的制造方法，包括：将p型杂质引入到第一氮化物半导体层(14)的上层部分的至少一部分中以形成p型杂质引入区(16)；从第一氮化物半导体层(14)的上表面形成第二氮化物半导体层(18)以包括所述p型杂质引入区(16)；以及在所述第一氮化物半导体层(14)上形成所述第二氮化物半导体层(18)的状态下进行退火处理。
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公开(公告)号：CN104867979B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510088818.8
申请日：2015-02-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7824 , H01L29/78624
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其使导通工作时电流所流通的路径分散，从而能够抑制局部发热。在半导体基板的半导体层内设置有n型的源极区、p型的体区、n型的漏极区以及n型的漂移区。漂移区具有第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区以及低浓度漂移区。第一漂移区形成在体区与漏极区之间的半导体层的面临上表面的范围内。第二漂移区与第一漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第一漂移区相接。第三漂移区与第二漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第二漂移区相接。第一漂移区与第二漂移区相比向体区侧突出。
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公开(公告)号：CN106298907A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610472248.7
申请日：2016-06-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大川峰司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种能够抑制栅极漏电流并且断开时的响应速度较快的常闭型的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置具有：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其被配置在所述第一氮化物半导体层之上，并且与所述第一氮化物半导体层相比带隙较大；p型半导体层，其被配置在所述第二氮化物半导体层之上；栅电极，其被配置在所述p型半导体层之上。在所述栅电极与所述p型半导体层之间并列配置有第一界面和第二界面，所述第一界面对于在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上流动的空穴而具有第一壁垒，所述第二界面对于在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上流动的空穴而具有大于第一壁垒的第二壁垒。
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公开(公告)号：CN106067483A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610252373.7
申请日：2016-04-21
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/7394 , H01L29/7824 , H01L29/78 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/42364
Abstract: 半导体衬底(12)包括：第一导电型的第一半导体区(30)，其暴露于第一表面；第二导电型的主基区(42)，其在与所述第一半导体区相邻的位置暴露于所述第一表面；第二导电型的表面层基区(44)，其在与所述主基区相邻的位置暴露于所述第一表面，并具有比所述主基区的厚度小的厚度。栅电极(74)布置为跨于所述第一半导体区的上部、所述主基区的上部和所述表面层基区的上部。
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公开(公告)号：CN104867979A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510088818.8
申请日：2015-02-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7824 , H01L29/78624
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其使导通工作时电流所流通的路径分散，从而能够抑制局部发热。在半导体基板的半导体层内设置有n型的源极区、p型的体区、n型的漏极区以及n型的漂移区。漂移区具有第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区以及低浓度漂移区。第一漂移区形成在体区与漏极区之间的半导体层的面临上表面的范围内。第二漂移区与第一漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第一漂移区相接。第三漂移区与第二漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第二漂移区相接。第一漂移区与第二漂移区相比向体区侧突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103348482B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180066954.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/6625 , H01L21/30604 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种横向型半导体装置的制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上，所述横向型半导体装置的制造方法的特征在于，所述横向型半导体装置具备半导体层，所述半导体层包括埋入氧化膜和漂移区，所述制造方法包括：将硅的局部氧化（LOCOS）氧化膜蚀刻至预先确定的深度为止的蚀刻工序，所述LOCOS氧化膜通过从所述半导体层的表面起以预定的厚度突出以及掩埋的方式而形成；以相同的挖掘速度同时形成第一沟槽和第二沟槽，并在所述第二沟槽到达了所述埋入氧化膜的时间点停止所述第一沟槽以及所述第二沟槽的形成的沟槽形成工序，其中，所述第一沟槽从所述漂移区朝向所述埋入氧化膜而形成，所述第二沟槽从在所述蚀刻工序中被实施了蚀刻的位置起朝向所述埋入氧化膜而形成。
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公开(公告)号：CN117497417A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310937349.7
申请日：2023-07-28
IPC: H01L21/336 , H01L29/36 , H01L29/207 , H01L29/20 , H01L29/32 , H01L29/34
Abstract: 半导体装置的制造方法，具有：对GaN类半导体衬底注入惰性元素或电子束的工序；对上述GaN类半导体衬底注入镁的工序；以及对上述GaN类半导体衬底进行热处理的工序。根据注入惰性元素或电子束的上述工序中的最深的注入深度D1(nm)而通过Dref＝D1+140nm的数式计算出的基准深度Dref，比注入镁的上述工序中的最深的注入深度D2(nm)深。在上述热处理后，在上述基准深度Dref的位置，镁浓度以规定减小率越朝向深侧则越减小。上述规定减小率比每300nm深度则镁浓度成为1/10的减小率小。
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公开(公告)号：CN106298907B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610472248.7
申请日：2016-06-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大川峰司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种能够抑制栅极漏电流并且断开时的响应速度较快的常闭型的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置具有：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其被配置在所述第一氮化物半导体层之上，并且与所述第一氮化物半导体层相比带隙较大；p型半导体层，其被配置在所述第二氮化物半导体层之上；栅电极，其被配置在所述p型半导体层之上。在所述栅电极与所述p型半导体层之间并列配置有第一界面和第二界面，所述第一界面对于在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上流动的空穴而具有第一壁垒，所述第二界面对于在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上流动的空穴而具有大于第一壁垒的第二壁垒。
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公开(公告)号：CN105659368B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201480057996.8
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN108321204A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711384307.6
申请日：2017-12-20
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供开关元件及开关元件的制造方法，开关元件具备：半导体基板，具有第一n型半导体层、由外延层构成的p型的体层、通过体层而与第一n型半导体层分离的第二n型半导体层；栅极绝缘膜，覆盖跨及第一n型半导体层的表面、体层的表面及第二n型半导体层的表面的范围；及栅电极，隔着栅极绝缘膜而与体层相向。第一n型半导体层与体层的界面具有倾斜面。倾斜面以随着沿横向远离体层的端部而体层的深度变深的方式倾斜。倾斜面配置在栅电极的下部。
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