公开(公告)号：CN107004725B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201580068085.X

申请日：2015-10-19

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 永冈达司 ,  三宅裕树 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

公开(公告)号：CN105874576B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480071043.7

申请日：2014-10-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小野木淳士 ,  宫原真一朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开一种能够抑制在沟槽内的绝缘层中产生裂纹或空隙的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有：沟槽(20)；栅极绝缘膜(22)，其覆盖沟槽(20)的内表面；栅电极(24)，其设置于栅极绝缘膜(22)的内侧。终端区(120)具有：终端沟槽(30)，其被配置于元件区(110)的周围；第一绝缘层(32b)，其覆盖终端沟槽(30)的内表面；第二绝缘层(34b)，其被形成于第一绝缘层(32b)的内侧，且被填充于终端沟槽(30)内。第一绝缘层(32b)的折射率大于第二绝缘层(34b)的折射率。

公开(公告)号：CN107112360A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061372.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  永冈达司 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗 ,  金村高司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。

公开(公告)号：CN105633162A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510811532.8

申请日：2015-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  朽木克博 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66492

Abstract: 本发明涉及一种改善沟道长度与击穿电压的此消彼长的关系的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有在表面上形成有沟槽的半导体基板、沟槽内的栅绝缘层以及栅电极。在沟槽的侧面上形成有高低差。沟槽的侧面具有上部侧面、高低差的表面、下部侧面。半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在上部侧面处与栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与第一区域相接的位置跨至与高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在第一区域的下侧的上部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于体区的下侧，并在下部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在高低差的表面处与栅绝缘层相接，并与第二区域相连。

公开(公告)号：CN102760768B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210128717.5

申请日：2012-04-27

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 渡边弘纪 ,  宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。

公开(公告)号：CN104718624A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380041833.6

申请日：2013-08-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 森本淳 ,  宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 在具备具有沟槽栅结构(9)的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法中，使用相对于(0001)面或(000－1)具有偏轴角的衬底(1)，将沟槽(6)从源区(4)的表面形成到将基区(3)贯通并到达漂移层(2)的深度以使沟槽(6)的侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面，在上述沟槽(6)的形成后不进行牺牲氧化，形成栅氧化膜(7)。

公开(公告)号：CN102569367B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201110435840.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  宫原真一朗 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件包括衬底(1)、漂移层(2)、基极区(3)、源极区(4)、沟槽(6)、栅极氧化物膜(7)、栅电极(8)、源电极(9)和漏电极(11)。衬底(1)以Si面作为主表面。源极区(4)具有Si面。从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分提供沟槽(6)，所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部。所述沟槽(6)至少在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状，该倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小。

公开(公告)号：CN102386100B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110259637.9

申请日：2011-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  宫原真一朗 ,  森野友生 ,  小西正树 ,  藤原广和 ,  森本淳 ,  石川刚 ,  胜野高志 ,  渡边行彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。

公开(公告)号：CN102629625A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210009800.0

申请日：2012-01-13

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅半导体衬底(1)和沟槽(2)。所述碳化硅半导体衬底(1)具有相对于(0001)平面或(000-1)平面的偏移角并且具有沿 方向的偏移方向。所述沟槽(2)从所述碳化硅半导体衬底(1)的表面开始设置。所述沟槽(2)沿相对于偏移方向的内角为30度或-30度的方向延伸。

公开(公告)号：CN102569367A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110435840.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  宫原真一朗 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件包括衬底(1)、漂移层(2)、基极区(3)、源极区(4)、沟槽(6)、栅极氧化物膜(7)、栅电极(8)、源电极(9)和漏电极(11)。衬底(1)以Si面作为主表面。源极区(4)具有Si面。从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分提供沟槽(6)，所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部。所述沟槽(6)至少在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状，该倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小。