公开(公告)号：CN104969348B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201380071969.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 森野友生 ,  水野祥司 ,  竹内有一 ,  添野明高 ,  渡边行彦

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/761 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

Abstract: 碳化硅半导体装置具备元件分离层(14)和电场缓和层(15)。元件分离层在主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间，从基极区域(3)的表面形成至比所述基极区域更深，分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧。电场缓和层从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置。所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。

公开(公告)号：CN102386100B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110259637.9

申请日：2011-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  宫原真一朗 ,  森野友生 ,  小西正树 ,  藤原广和 ,  森本淳 ,  石川刚 ,  胜野高志 ,  渡边行彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。

公开(公告)号：CN104969348A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201380071969.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 森野友生 ,  水野祥司 ,  竹内有一 ,  添野明高 ,  渡边行彦

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/761 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

Abstract: 碳化硅半导体装置具备元件分离层(14)和电场缓和层(15)。元件分离层在主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间，从基极区域(3)的表面形成至比所述基极区域更深，分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧。电场缓和层从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置。所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。

公开(公告)号：CN102386100A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259637.9

申请日：2011-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  宫原真一朗 ,  森野友生 ,  小西正树 ,  藤原广和 ,  森本淳 ,  石川刚 ,  胜野高志 ,  渡边行彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。

公开(公告)号：CN104641469B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380048022.9

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸 ,  内藤正美 ,  森野友生

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。

公开(公告)号：CN116266611A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211607049.4

申请日：2022-12-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫原真一朗 ,  原田峻丞 ,  森野友生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括具有深层、电流扩散层、基区、高浓度区和沟槽栅极结构的垂直半导体元件。所述深层具有在一个方向上彼此分开的多个区段。所述电流扩散层位于所述深层的相邻两个区段之间。所述高浓度区位于所述基区的一部分上。所述沟槽栅极结构包括栅极沟槽、栅极绝缘膜和栅极电极。所述电流扩散层位于所述沟槽栅极结构的底部，并且具有从栅极沟槽底部延伸到深层底部或深层底部下方位置的离子注入层。

公开(公告)号：CN104641469A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048022.9

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸 ,  内藤正美 ,  森野友生

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。

公开(公告)号：CN116157921A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180060515.9

申请日：2021-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 安部瑛美夏 ,  长濑拓生 ,  三轮亮太 ,  森野友生

IPC: H01L29/12

Abstract: 构成电力变换部的上下臂电路的半导体元件具有作为控制电极的栅极电极和作为主电极的漏极电极及源极电极。栅极电极与漏极电极之间的寄生电容Cgd具有对应于漏极电极与源极电极之间的电压Vds而变化的特性。电压Vds为击穿电压BV的80％时的寄生电容Cgd的值即电容值C1大于电压Vds为击穿电压BV的20％～40％的范围中的寄生电容Cgd的任意的值即电容值C2。

公开(公告)号：CN106463491A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580029109.0

申请日：2015-05-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 森野友生 ,  石野宽

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/48 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，使用碳化硅形成，在第1面(12a)及与该第1面相反的第2面具有电极；端子(14)，配置在第1面侧，经由接合部件而与第1面侧的电极连接；热沉(22)，配置在第2面侧，经由接合部件而与第2面侧的电极连接。设第1面(12a)为(0001)面，设半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。并且，呈平面正方形的半导体芯片(12)的端部与呈平面长方形的端子最短距离(L1)比[11－20]方向上的最短距离(L2)短。由此，能够在抑制散热性的下降的同时、提高半导体芯片对热应力的耐受力。(14)的端部之间的距离中的[1－100]方向上的

公开(公告)号：CN107534035B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201680026155.X

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 森野友生

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/29 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体装置，具备：以第1成分为主要成分而形成的第1元件(10～14)、以第2成分为主要成分而形成的第2元件(20～24)、载置有第1元件及第2元件的散热器(30)、使第1元件与散热器电接合的第1接合层(50)、使第2元件与散热器电接合的第2接合层(60)、以及覆盖并保护第1元件、第2元件、以及散热器的模制树脂(90)。第1元件及第2元件的尺寸被设定为，第1接合层的等效塑性应变增量大于第2接合层。由此，在具备彼此由不同的成分构成的半导体元件的半导体装置中，在由一方的成分构成的半导体元件侧不设置温度检测部件，也能够进行元件的热保护。