公开(公告)号：CN103890955A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN106206573B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN103890955B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN105793990A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066442.4

申请日：2014-10-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 町田悟 ,  山下侑佑 ,  妹尾贤 ,  大河原淳 ,  平林康弘 ,  细川博司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n+型的第一缓冲区与n+型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。

公开(公告)号：CN105378931A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201380076833.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0716 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0766 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 当在IGBT中附加分离出上部体区(8a)和下部体区(8b)的势垒层(10)时，电导率调制活化从而导通电阻下降，当附加到达至势垒层(10)的肖特基接触区(6)时，能够实现二极管结构，但会附加经由势垒层(10)和肖特基接触区(6)到达至发射区(4)的电流路径，从而饱和电流增大，短路耐量降低。肖特基接触区(6)与发射区(4)通过上部体区(8a)而被分离，通过选择上部体区(8a)的杂质浓度，从而能够避免饱和电流的增大。或者，也可以在分离肖特基接触区(6)和发射区(4)的范围内附加隔断结构，该隔断结构使从肖特基接触区(6)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层和从发射区(4)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层不相连。

公开(公告)号：CN103403872A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011777.7

申请日：2012-03-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/423 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 在IGBT（10）中，以弯曲形状延伸而具有转角的沟槽（70a、70b）形成于半导体衬底的上表面中。沟槽（70a、70b）的内面覆盖有绝缘膜。栅极被置于沟槽（70a、70b）内。发射极和集电极分别形成在半导体衬底的上表面和下表面上。发射极区域、体区域、漂移区以及集电极区域形成于半导体衬底中。发射极区域是由n型半导体形成的，与绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。体区域是由p型半导体形成的，与发射极区域下方的绝缘膜相接触，与沟槽（70a、70b）的内转角部（72-1、72-2）的绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。

公开(公告)号：CN105684153B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201480058417.1

申请日：2014-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。

公开(公告)号：CN106463529A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023346.6

申请日：2015-02-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。

公开(公告)号：CN106206573A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0647 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN105684153A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058417.1

申请日：2014-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。